[發(fā)明專利]一種接合晶圓及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410114959.8 | 申請日： | 2014-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN104952810B | 公開（公告）日： | 2019-05-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 侯元琨;游寬結(jié);華宇 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/13 | 分類號： | H01L23/13;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 接合 及其 制備 方法 | ||
1.一種接合晶圓，所述接合晶圓的邊緣設(shè)置有若干墊片區(qū)域，所述接合晶圓的邊緣僅所述墊片區(qū)域中不形成圖案，用于放置在晶圓接合之后可抽離的墊片，以避免所述接合晶圓在研磨過程中發(fā)生碎裂現(xiàn)象。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合晶圓，其特征在于，在所述接合晶圓的邊緣除所述墊片區(qū)域以外均設(shè)置有金屬圖案，接合后在所述接合晶圓的邊緣形成支撐結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合晶圓，其特征在于，所述接合晶圓包括頂部接合晶圓和底部接合晶圓，其中所述頂部接合晶圓和所述底部接合晶圓的邊緣均設(shè)置有所述墊片區(qū)域，且上下相互對應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的接合晶圓，其特征在于，所述墊片放置于所述頂部接合晶圓的所述墊片區(qū)域和所述底部接合晶圓的所述墊片區(qū)域形成的空腔內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合晶圓，其特征在于，所述若干墊片區(qū)域均勻的分布在所述接合晶圓的邊緣上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合晶圓，其特征在于，所述墊片區(qū)域的表面為氧化物層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合晶圓，其特征在于，所述墊片選用不銹鋼的墊片。
8.一種權(quán)利要求1至7之一所述接合晶圓的制備方法，包括：
提供晶圓；
在所述晶圓上形成光罩；
曝光顯影，以在所述光罩上除所述墊片區(qū)域以外的區(qū)域形成目標圖案；
以掩膜層為掩膜蝕刻所述晶圓，以在所述晶圓上形成所述目標圖案和所述墊片區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述晶圓上形成與所述晶圓大小為1:1的所述光罩。
10.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括權(quán)利要求1至7之一所述的接合晶圓。
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