[發明專利]直列式熱處理裝置

在審

• 申請號: 201410114532.8
• 申請日: 2014-03-25
• 公開（公告）號: CN104078384A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 李炳一;吳弘綠;趙炳鎬
• 申請（專利權）人: 泰拉半導體株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 姜虎;陳英俊

技術領域

本發明涉及直列式熱處理裝置。更具體地，通過設置貫通多個加熱爐的多個加熱器，能夠均勻地保持加熱爐整個區域的溫度，并且在整個基板上進行均勻的熱處理。

背景技術

使用于平板顯示裝置制造中的熱處理（Annealing）裝置，為了提高沉積在基板上的膜的特性，對沉積的膜進行結晶化或相變化處理。

使用于平板顯示裝置中的作為半導體層的薄膜晶體管，利用沉積裝置，在玻璃或石英等基板上沉積非晶（Amorphous）硅，對非晶硅層進行脫氫熱處理后，注入形成溝道所需的砷（Arsenic）、磷（Phosphorus）或硼（Boron）等摻雜物。然后進行結晶化工藝，以將具有低電子遷移率的非晶硅層通過結晶化處理為具有高電子遷移率的結晶結構的多晶硅層。

為了使非晶硅層結晶化處理為多晶硅層，需要向非晶硅層施加熱能，通常利用以下方法：向加熱爐（Furnace）內部投入基板，通過設置在加熱爐內部的加熱器等加熱單元，向非晶硅層提供熱量。

現有的熱處理裝置進行利用一個加熱爐來加熱以及冷卻基板的熱處理工藝，但是利用一個加熱爐的現有的熱處理裝置，由于將基板制造成成品需要很長時間，導致降低生產率。為了解決這個問題，正在開發和使用直列式熱處理裝置，其連續配置多個加熱爐，并將基板分別向所述加熱爐依次搬運，以對基板進行熱處理。

由于現有的直列式熱處理裝置，將加熱器配置在加熱爐的外側，或者使用板狀加熱器等，因此很難控制加熱器整個區域的溫度。此外，隨著近年來使用于平板顯示裝置中的基板趨于大型化，需要開發可以均勻地保持加熱爐內部的溫度，并且在整個基板上進行均勻的熱處理的直列式熱處理裝置。

此外，由于現有的熱處理裝置在可旋轉的多個輥上直接搭載基板進行搬運，因此，由相互接觸的輥和基板之間的摩擦力而產生的顆粒（Particle）有可能導致基板被污染，從而降低成品的可靠性。

發明的內容

本發明為了解決如上所述的現有技術的各種問題而提出，目的在于提供一種直列式熱處理裝置，能夠均勻地保持加熱爐整個區域的溫度。

此外，本發明的目的在于提供一種直列式熱處理裝置，可以在整個基板上進行均勻的熱處理。

此外，本發明的目的在于提供一種直列式熱處理裝置，通過在移動（Moving）部件上搭載并支撐基板進行搬運，從而能夠降低摩擦力導致的基板的損傷，提高成品的可靠性。

為了解決上述目的，本發明一實施方式的直列式熱處理裝置的特征在于，具備：多個加熱爐（Furnace），連續地配置，并且分別提供對基板進行熱處理的空間；搬運單元，設置在各個所述加熱爐的內部，用于搬運所述基板；以及多個加熱器，設置在各個所述加熱爐中，并且，在與所述基板的搬運方向垂直的方向上隔著規定的間隔貫通各個所述加熱爐，以對所述基板進行升溫。

根據如上所述結構的本發明，能夠均勻地保持加熱爐整個區域的溫度。

此外，可以在整個基板上進行均勻的熱處理。

此外，通過在移動（Moving）部件上搭載并支撐基板進行搬運，從而能夠降低摩擦力導致的基板的損傷，提高成品的可靠性。

附圖說明

圖1是表示本發明一實施方式的直列式熱處理裝置的概略結構的主剖視圖。

圖2是表示本發明一實施方式的升溫部的加熱爐的放大主剖視圖。

圖3是表示本發明一實施方式的升溫部的加熱爐的放大側剖視圖。

圖4是表示本發明一實施方式的直列式熱處理裝置的概略結構的俯剖視圖。

圖5是表示本發明一實施方式的基板搬運部支撐移動部件的立體圖。

圖6是圖5中示出的基板搬運部的放大立體圖。

圖7至圖13是表示本發明一實施方式的直列式熱處理裝置的動作的主剖視圖。

圖14是本發明一實施方式的支撐部件的立體圖。

附圖標記

50：基板

61、65：支撐部件

110：加載部

120：升溫部

130：工藝部

140：冷卻部

150：卸載部

110a、120a、120b、130a、140a、150a：加熱爐

200：加熱器

210：上側加熱器

220：下側加熱器

230：側方加熱器

330：移動部件

350：驅動單元

370：基板搬運部

390：升降桿

具體實施方式