[發明專利]覆晶式發光二極管及其制造方法以及其覆晶式封裝結構

有效

• 申請號: 201410114136.5
• 申請日: 2014-03-25
• 公開（公告）號: CN104952991B
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 宋大侖;璩澤中;賴東昇
• 申請（專利權）人: 茂邦電子有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/60
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司11139
• 代理人: 孫皓晨

技術領域

本發明涉及一種覆晶式發光二極管及其制造方法以及其覆晶式封裝結構，尤指一種覆晶式發光二極管包含至少一多層式反光層覆蓋在該發光二極管晶粒的最外層，且該多層式反光層是利用PVD真空鍍膜工法并以同一光罩且一次制作方式以形成在該發光二極管晶粒除該外露電極部以外的外表面上。

背景技術

在有關覆晶式發光二極管（flip-chip LED）如氮化鎵LED結構或發光二極管的反光層的制造方法或覆晶式封裝結構等技術領域中，目前已存在多種現有技術，如：中國臺灣專利公告第I423482號（案號098116606、公開號201042782）、第573330號、新型第M350824號；美國專利US8,211,722、US6,914,268、US8,049,230、US7,985,979、US7,939,832、US7,713,353、US7,642,121、US7,462,861、US7,393,411、US7,335,519、US7,294,866、US7,087,526、US5,557,115、US6,514,782、US6,497,944、US6,791,119；及美國專利公開號US2011/0014734、US2002/0163302、US2004/0113156等。上述這些現有技術大都是針對一發光二極管（LED）晶粒結構或其封裝（package）結構，在發光效率、散熱功能、使用壽命、制造成本、組裝合格率、制程簡化、光衰等方面所產生的問題與缺失，而提出可解決該些問題與缺失的不同的技術手段。

以中國臺灣公告第I423482號（案號098116606、公開號201042782）、美國專利US8,211,722（US2011/0294242）及US2011/0014734（案號12/505,991）為例說明，US2011/0014734（已放棄）是中國臺灣公告第I423482號的美國專利申請案，US8,211,722是US2011/0014734（已放棄）的部分連續案（continuation-in-part）。中國臺灣公告第I423482及US8,211,722都是揭示一種覆晶式氮化鎵發光二極管的制造方法（FLIP-CHIP GAN FABRICATION METHOD），其中憑借其所揭示的制造方法所制成的覆晶式氮化鎵發光二極管晶粒的主要結構包含：一藍寶石基板、一N型（負極）氮化鎵歐姆接觸層、一發光層、一P型（正極）氮化鎵歐姆接觸層、一透明導電金屬氧化物層（如氧化銦錫）、二不同極（如正、負極）的外露電極部（或襯墊）及一覆蓋在該發光二極管晶粒最外層的多層式反光層，其中該多層式反光層一般是利用PVD真空鍍膜工法形成；然而，其中該多層式（如三層）反光層是利用多個（如三個）不同光罩以先設立該多層式反光層的成形圖案（pattern）如確定光阻層的設立位置，并再利用制程分開成多次（如三次）的PVD制作方式以在該發光二極管晶粒除該外露電極部以外的外表面上依序形成一多層式反光層如由一氧化硅（SiO2）膜、一鋁膜及一氧化硅（SiO2）膜所構成的多層式反光層，也就是，該氧化硅（SiO2）膜、該鋁膜及該氧化硅（SiO2）膜是利用三次PVD制作方式即三次真空鍍膜工法來完成，即其中每一次PVD制作方式都須使用一光罩并利用一次抽真空及破真空的制作流程才完成一次真空鍍膜工法，如此利用多個（如三個）不同光罩及多次（三次）PVD制作方式來制成一多層式反光層，相對會增加制作時間及成本，不利于量產化及產業競爭。

由上可知，上述該些背景技術的結構及制程實難以符合實際使用時的需求，因此在覆晶式氮化鎵發光二極管結構、發光二極管的反光層的制造方法及其覆晶式封裝結構等相關領域，仍存在進一步改進的需要性。

發明內容

本發明主要目的乃在于提供一種覆晶式發光二極管，達成制程簡化及成本效益，并避免現有技術利用多個不同光罩且多次PVD制作方式始能完成一多層式反光層的問題及缺點的目的。

為實現上述目的，本發明采用的技術方案包括：

一種覆晶式發光二極管，包含：

一藍寶石基板；

一N型歐姆接觸層，其形成且設置在該元件基板上；

一P型歐姆接觸層，其形成且設置在該N型歐姆接觸層上，其中該P型歐姆接觸層與該N型歐姆接觸層的交界面形成一發光層；

一透明導電金屬氧化物層，其形成且設置在該P型歐姆接觸層上；

二不同極的外露電極部，包含一負極電極部及一正極電極部；及

一覆蓋在最外層的多層式反光層；

其特征在于：