[發明專利]覆晶式發光二極管及其制造方法以及其覆晶式封裝結構

有效

• 申請號: 201410114136.5
• 申請日: 2014-03-25
• 公開（公告）號: CN104952991B
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 宋大侖;璩澤中;賴東昇
• 申請（專利權）人: 茂邦電子有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/60
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種覆晶式發光二極管，包含：

一藍寶石基板；

一N型歐姆接觸層，其形成且設置在該藍寶石基板上；

一P型歐姆接觸層，其形成且設置在該N型歐姆接觸層上，其中該P型歐姆接觸層與該N型歐姆接觸層的交界面形成一發光層；

一透明導電金屬氧化物層，其形成且設置在該P型歐姆接觸層上；

兩個不同極的外露電極部，包含一負極電極部及一正極電極部；及

一覆蓋在最外層的多層式反光層；

其特征在于：

該多層式反光層是利用PVD的真空鍍膜工法并以同一光罩且一次制作方式以在該發光二極管除該外露電極部以外的外表面上依序形成；

其中該同一光罩且一次制作方式是以同一光罩來設立該多層式反光層的成形圖案以使該兩個不同極的外露電極部的表面各設有一光阻層，并再利用一次抽真空及破真空的制作流程來完成該多層式反光層中各層的真空鍍膜制程；

其中，該多層式反光層是由一非導電性氧化硅膜、一導電性鋁膜及另一非導電性氧化硅膜所構成，其中該導電性鋁膜是形成在兩個非導電性氧化硅膜之間；

而且，該多層式反光層上進一步設有一電極分界區，以使該多層式反光層憑借該電極分界區而分隔成兩個分開且形成電性絕緣的半部反光層以分別電性連接于兩個不同極的外露電極部；

該多層式反光層上進一步設有一導電性反光層，其中該導電性反光層是再利用PVD的真空鍍膜工法并以同一光罩且一次制作方式形成在該多層式反光層的外表面上；

該導電性反光層由鋁膜、銀膜中之一種或其組合所構成的金屬反光層；

而且，所述覆晶式發光二極管的制作方法包括如下步驟：

步驟1：提供一具有多個發光二極管晶粒的晶圓，其中各發光二極管晶粒已形成具有：一藍寶石基板、一N型歐姆接觸層、一發光層、P型歐姆接觸層、一透明導電金屬氧化物層及兩個不同極的外露電極部；

步驟2：利用同一光罩來設立一多層式反光層的成形圖案，以使該兩個不同極的外露電極部的表面各設有一光阻層；

步驟3：利用PVD的真空鍍膜工法并以一次制作方式以在各發光二極管晶粒的外表面上形成一多層式反光層，其中該一次制作方式是指在進行PVD真空鍍膜工法時是利用一次抽真空及破真空的制作流程來完成該多層式反光層中各層的真空鍍膜制程；及

步驟4：再除去光阻層以制造完成多個具有一多層式反光層的發光二極管晶粒。