[發明專利]等離子處理裝置以及等離子處理方法

有效

• 申請號: 201410113773.0
• 申請日: 2014-03-25
• 公開（公告）號: CN104143509B
• 公開（公告）日: 2018-11-09
• 發明（設計）人: 西崎展弘;針貝篤史;巖井哲博;廣島滿
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 樊建中

本發明提供一種等離子處理裝置以及等離子處理方法，使得即使在實施等離子處理的情況下保持片也不會受到不良影響。具備：在室(11)內產生等離子的等離子源(13)；設置于室(11)內且載置輸送載體(5)的臺(16)；配置于臺(16)的上方且覆蓋保持片(6)和框(7)，具有在厚度方向上貫通地形成的窗部(33)的蓋子(31)；和將蓋子(31)相對于臺(16)的相對位置變更為第1位置和第2位置的驅動機構(38)。第2位置是蓋子(31)與保持片(6)、框(7)、以及基板(2)不接觸的位置。蓋子(31)至少具備向框(7)的上表面延伸的頂面(36b)、和相對于在框(7)的內徑側露出的保持片(6)的上表面逐漸接近地傾斜的傾斜面(36c)。

技術領域

本發明涉及等離子處理裝置以及等離子處理方法，尤其涉及對由環狀框和保持片構成的輸送載體所保持的晶片的等離子處理有效的技術。

背景技術

作為等離子處理裝置，已知專利文獻1公開的等離子處理裝置。該等離子處理裝置，將由環狀框和保持片構成的輸送載體所保持的晶片作為處理對象。而且，在用等離子對晶片進行切割時，通過用遮蓋物覆蓋環狀框，使得環狀框不暴露在等離子中。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：JP特開2012-248741號公報

發明內容

發明要解決的課題

近年來，出于生產率提高的要求，存在為了提高處理速度而提高等離子密度等的傾向。在專利文獻1記載的裝置中，若要提高處理速度，則遮蓋物被等離子加熱而成為設想以上的高溫。于是，產生了如下問題：受到來自遮蓋物的熱影響的輸送載體的保持片發生變形、收縮、熔融等而難以通過機械手來輸送。

因此，本發明的課題在于，提供一種即使在對由環狀框和保持片構成的輸送載體所保持的晶片實施等離子處理的情況下，保持片也不會受到不良影響的等離子處理裝置以及等離子處理方法。

解決課題的手段

本發明的一個方式，

是一種等離子處理裝置，其對由環狀的框和保持片構成的輸送載體所保持的基板實施等離子處理，所述等離子處理裝置的特征在于，

具備：

室，其具有能夠減壓的內部空間；

等離子源，其在所述室內產生等離子；

臺，其設置于所述室內并載置所述輸送載體；

蓋子，其配置于所述臺的上方并覆蓋所述保持片和所述框，具有在厚度方向上貫通地形成的窗部；和

驅動機構，其將所述蓋子相對于所述臺的相對位置，變更為第1位置和第2位置，其中所述第1位置是離開所述臺并容許所述輸送載體相對于所述臺的裝卸的位置，所述第2位置是所述蓋子覆蓋在所述臺上載置的所述輸送載體的所述保持片和所述框、且所述窗部使保持于所述保持片的所述基板露出的位置，

所述第2位置是所述蓋子與所述保持片、所述框、以及所述基板不接觸的位置，

所述蓋子至少具備：頂面，其向所述框的上表面延伸；和傾斜面，其相對于在所述框的內徑側露出的保持片的上表面逐漸接近地傾斜。

根據該構成，能夠充分獲得蓋子與輸送載體的距離，能夠抑制等離子對保持片的熱影響。

優選的是，所述蓋子的所述頂面與所述框的上表面之間的間隔，比構成所述窗部的內周緣下部與所述保護片之間的間隔更大。

根據該構成，能夠充分獲得蓋子與輸送載體的距離，并且防止等離子從窗部進入到在蓋子與輸送載體之間形成的空間，能夠有效地阻止保持片的變形等。