[發明專利]等離子處理裝置以及等離子處理方法

有效

• 申請號: 201410113773.0
• 申請日: 2014-03-25
• 公開（公告）號: CN104143509B
• 公開（公告）日: 2018-11-09
• 發明（設計）人: 西崎展弘;針貝篤史;巖井哲博;廣島滿
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 樊建中

1.一種等離子處理裝置，其對由保持片和在所述保持片的外周緣附近的粘著面貼著的環狀的框構成的輸送載體所保持的基板實施等離子處理，所述等離子處理裝置的特征在于，

具備：

室，其具有能夠減壓的內部空間；

等離子源，其在所述室內產生等離子；

臺，其設置于所述室內并載置所述輸送載體，并且所述臺具備電極部和包圍所述電極部的封裝部；

蓋子，其配置于所述臺的上方并覆蓋所述保持片和所述框，具有在厚度方向上貫通地形成的窗部；和

驅動機構，其將所述蓋子相對于所述臺的相對位置，變更為第1位置和第2位置，其中所述第1位置是離開所述臺并容許所述輸送載體相對于所述臺的裝卸的位置，所述第2位置是所述蓋子覆蓋在所述臺上載置的所述輸送載體的所述保持片和所述框、且所述窗部使保持于所述保持片的所述基板露出的位置，

所述第2位置是所述蓋子與所述保持片、所述框、以及所述基板不接觸的位置，

所述蓋子的下表面至少具備：最外周部；內周面，其從所述最外周部的內周緣向上方延伸；頂面，其從所述內周面的上端向著所述框的內周部上方側與所述框的上表面平行地延伸；傾斜面，其與所述頂面連續設置，且相對于在所述框的內徑側露出的保持片的上表面逐漸接近地傾斜并且向斜下方延伸，

所述蓋子的所述最外周部在所述第2位置與所述封裝部抵接。

2.根據權利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述蓋子的所述頂面與所述框的上表面之間的間隔，比構成所述窗部的內周緣下部與所述保持片之間的間隔更大。

3.根據權利要求1或2所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述蓋子，在比所述頂面更靠近內徑側的區域，具備向著所述窗部逐漸接近所述輸送載體的上表面。

4.根據權利要求1或2所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述蓋子具備與所述傾斜面連續，且與所述輸送載體最接近地平行延伸的對置面。

5.根據權利要求1或2所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述蓋子的窗部，使所述基板的比外緣區域更靠內側的區域露出。

6.一種等離子處理方法，是對由保持片和在所述保持片的外周緣附近的粘著面貼著的環狀的框構成的輸送載體所保持的基板實施等離子處理的等離子處理方法，所述等離子處理方法的特征在于，

在具有能夠減壓的內部空間的室內的臺上載置輸送載體，其中所述臺具備電極部和包圍所述電極部的封裝部，

通過具有在厚度方向上貫通地形成的窗部的蓋子來覆蓋在所述臺上載置的所述輸送載體的所述保持片和所述框的上方，并且使所述保持片上的基板從所述窗部露出，

在所述蓋子覆蓋所述保持片和所述框的狀態下，在所述內部空間產生等離子，并對從所述窗部露出的基板進行等離子處理，

所述蓋子的下表面至少具備：最外周部；內周面，其從所述最外周部的內周緣向上方延伸；頂面，其從所述內周面的上端向著所述框的內周部上方側與所述框的上表面平行地延伸；傾斜面，其與所述頂面連續設置，且相對于在所述框的內徑側露出的保持片的上表面逐漸接近地傾斜并且向斜下方延伸，至少在進行等離子處理的過程中，所述蓋子與所述保持片、所述框、以及所述基板不接觸，且至少在進行等離子處理的過程中，所述蓋子的所述最外周部與所述封裝部抵接。