[發(fā)明專利]一種MIM結(jié)構(gòu)的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410113669.1
• 申請(qǐng)日: 2014-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN104952697B
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李立春
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙)31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種MIM結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

S1：提供一襯底，在所述襯底上形成第一金屬層；

S2：然后將所述襯底放入反應(yīng)腔內(nèi)的加熱盤上，并往所述反應(yīng)腔內(nèi)通入反應(yīng)氣體，在所述第一金屬層上生長第一介質(zhì)層；

S3：利用設(shè)置于所述加熱盤中的升降針將所述襯底抬升至預(yù)設(shè)位置，并抽走所述反應(yīng)腔內(nèi)剩余的反應(yīng)氣體，使所述反應(yīng)腔內(nèi)達(dá)到預(yù)設(shè)壓強(qiáng)；

S4：然后再利用所述升降針將所述襯底下降至所述加熱盤上；

S5：當(dāng)所述襯底停放在所述加熱盤上之后，再往所述反應(yīng)腔內(nèi)通入反應(yīng)氣體，在所述第一介質(zhì)層表面生長第二介質(zhì)層；

S6：最后在所述第二介質(zhì)層上形成第二金屬層，得到MIM結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MIM結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：于所述步驟S3中抽走所述反應(yīng)腔內(nèi)剩余的反應(yīng)氣體時(shí)，將與所述反應(yīng)腔連接的節(jié)流閥完全打開。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MIM結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：于所述步驟S4中利用所述升降針將所述襯底下降至所述加熱盤上時(shí)，所述節(jié)流閥保持完全打開狀態(tài)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MIM結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：于所述步驟S4中利用所述升降針將所述襯底下降至所述加熱盤上時(shí)，所述反應(yīng)氣體流量小于或等于0sccm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MIM結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述預(yù)設(shè)壓強(qiáng)小于100mTorr。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MIM結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述第一介質(zhì)層為二氧化硅或氮化硅；所述第二介質(zhì)層為二氧化硅或氮化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MIM結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述反應(yīng)氣體為硅烷與一氧化二氮的混合氣。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MIM結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述第一金屬層選自鋁、鉭、氮化鉭、鈦及氮化鈦中的至少一種；所述第二金屬層選自鋁、鉭、氮化鉭、鈦及氮化鈦中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MIM結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：采用PECVD法形成所述第一介質(zhì)層及所述第二介質(zhì)層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MIM結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：采用濺射法形成所述第一金屬層及所述第二金屬層。