[發明專利]供體基板無效
| 申請號: | 201410111915.X | 申請日: | 2014-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN104112760A | 公開(公告)日: | 2014-10-22 |
| 發明(設計)人: | 權寧吉;林亨澤 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 供體 | ||
技術領域
實施例涉及供體基板、制造有機發光顯示裝置的方法和使用該方法制造的有機發光顯示裝置。
背景技術
通常,有機發光元件包括像素電極、共電極以及設置在像素電極和共電極之間的有機層。有機層至少包括發光層(EML),并且還可以包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)。在有機發光元件中,通過像素電極和共電極產生的空穴和電子可以在有機層中(具體地,在EML中)復合,形成激發子。當激發子的能級從激發態變為基態時,EML可以發射與變化的能級對應的顏色的光。
發明內容
實施例涉及一種供體基板,所述供體基板包括:基體層,具有第一表面和第二表面;補充硬度層,在基體層的第一表面上;和轉印層,在補充硬度層上。補充硬度層的硬度大于基體層的硬度。
補充硬度層的硬度可以是大約0.15GPa至大約3GPa。
補充硬度層可以含有丙烯酸樹脂或醇酸樹脂。
供體基板還可以包括位于補充硬度層和轉印層之間的光熱轉換層。
供體基板還可以包括形成在補充硬度層中的一個或多個開口圖案。
開口圖案的水平剖面形狀可以是多邊形、圓形、半圓形或這些形狀的組合中的任一個,多邊形包括三角形、四邊形、五邊形和六邊形等。
光熱轉換層可以覆蓋補充硬度層和開口圖案。
供體基板還可以包括位于補充硬度層和基體層之間的光熱轉換層。
供體基板還可以包括形成在補充硬度層中的一個或多個開口圖案。
開口圖案中的至少一個可以在與轉印層將被轉印至的轉印區域對應的部分中。
開口圖案的水平剖面形狀可以是多邊形、圓形、半圓形或這些形狀的組合中的任一個,多邊形包括三角形、四邊形、五邊形和六邊形等。
轉印層可以覆蓋補充硬度層和開口圖案。
實施例還涉及一種供體基板,所述供體基板包括:基體層,具有第一表面和第二表面;轉印層,在基體層的第一表面上;和補充硬度層,在基體層的第二表面上。補充硬度層的硬度大于基體層的硬度。
補充硬度層的硬度可以是大約0.15GPa至大約3GPa。
補充硬度層可以含有丙烯酸樹脂或醇酸樹脂。
供體基板還可以包括位于基體層和轉印層之間的光熱轉換層。
供體基板還可以包括形成在補充硬度層中的一個或多個開口圖案。
開口圖案中的至少一個可以在與轉印層將被轉印至的轉印區域對應的部分中。
開口圖案的水平剖面形狀可以是多邊形、圓形、半圓形或這些形狀的組合中的任一個,多邊形包括三角形、四邊形、五邊形和六邊形等。
實施例還涉及一種制造有機發光顯示裝置的方法,所述方法包括:提供基板,所述基板包括像素限定層和通過像素限定層暴露的第一電極;將供體基板放置在基板上,其中,供體基板包括基體層、設置在基體層的第一表面上的光熱轉換層、轉印層和設置在基體層和轉印層之間或者設置在基體層的第二表面上的補充硬度層;通過用激光束照射供體基板將轉印層轉印到第一電極上,從而在第一電極上形成有機層。補充硬度層的硬度大于基體層的硬度。
補充硬度層的硬度可以是大約0.15GPa至大約3GPa。
所述方法還可以包括在有機層上形成第二電極。
實施例還涉及一種有機發光元件,所述有機發光元件包括:基板,包括多個像素;第一電極,在基板上的多個像素的各像素中;像素限定層,在各像素的邊界部分處;一個或多個突出圖案,在像素限定層上;有機層,在第一電極上;第二電極,覆蓋有機層和像素限定層。有機層圖案形成在突出圖案的每個上。
附圖說明
通過參照附圖詳細描述示例性實施例,對于本領域的技術人員而言,特征將變得清楚,其中:
圖1示出根據實施例的彼此分開的供體基板和有機發光顯示元件的透視圖;
圖2示出圖1中示出的供體基板的剖視圖;
圖3示出圖1中示出的供體基板的另一個實施例的剖視圖;
圖4示出圖1中示出的供體基板的另一個實施例的剖視圖;
圖5示出圖1中示出的供體基板的另一個實施例的剖視圖;
圖6示出圖1中示出的供體基板的另一個實施例的剖視圖;
圖7示出圖1中示出的供體基板的另一個實施例的剖視圖;
圖8示出彼此分開的圖7的供體基板和有機發光顯示元件的透視圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





