[發(fā)明專利]供體基板無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410111915.X | 申請日: | 2014-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN104112760A | 公開(公告)日: | 2014-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 權(quán)寧吉;林亨澤 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 供體 | ||
1.一種供體基板,包括:
基體層,具有第一表面和第二表面;
補充硬度層,在基體層的第一表面上;和
轉(zhuǎn)印層,在補充硬度層上,
光熱轉(zhuǎn)換層,在補充硬度層和轉(zhuǎn)印層之間,
一個或多個開口圖案,形成在補充硬度層中,
其中,補充硬度層的硬度大于基體層的硬度。
2.如權(quán)利要求1所述的供體基板,其中,補充硬度層的硬度是0.15GPa至3GPa。
3.如權(quán)利要求2所述的供體基板,其中,補充硬度層含有丙烯酸樹脂或醇酸樹脂。
4.如權(quán)利要求1所述的供體基板,其中,開口圖案的水平剖面形狀是多邊形、圓形、半圓形或這些形狀的組合中的任一個。
5.如權(quán)利要求1所述的供體基板,其中,開口圖案中的至少一個在與轉(zhuǎn)印層將被轉(zhuǎn)印至的轉(zhuǎn)印區(qū)域?qū)?yīng)的部分中。
6.一種供體基板,包括:
基體層,具有第一表面和第二表面;
轉(zhuǎn)印層,在基體層的第一表面上;和
補充硬度層,在基體層的第二表面上,
光熱轉(zhuǎn)換層,在基體層和轉(zhuǎn)印層之間,
一個或多個開口圖案,形成在補充硬度層中,
其中,補充硬度層的硬度大于基體層的硬度。
7.如權(quán)利要求6所述的供體基板,其中,補充硬度層的硬度是0.15GPa至3GPa。
8.如權(quán)利要求6所述的供體基板,其中,補充硬度層含有丙烯酸樹脂或醇酸樹脂。
9.如權(quán)利要求6所述的供體基板,其中,開口圖案中的至少一個在與轉(zhuǎn)印層將被轉(zhuǎn)印至的轉(zhuǎn)印區(qū)域?qū)?yīng)的部分中。
10.如權(quán)利要求6所述的供體基板,其中,開口圖案的水平剖面形狀是多邊形、圓形、半圓形或這些形狀的組合中的任一個。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





