[發明專利]選擇性外延生長工藝的前處理方法及半導體器件制造方法在審
| 申請號： | 201410111349.2 | 申請日： | 2014-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN103943494A | 公開（公告）日： | 2014-07-23 |
| 發明（設計）人： | 高劍琴;周海鋒;譚俊 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3213 | 分類號： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 選擇性 外延 生長 工藝 處理 方法 半導體器件 制造 | ||
1.一種選擇性外延生長工藝的前處理方法，其特征在于，包括：
采用含鹵素的氣體對半導體襯底表面進行處理。
2.如權利要求1所述的一種選擇性外延生長工藝的前處理方法，其特征在于，所述半導體襯底為硅襯底。
3.如權利要求1所述的一種選擇性外延生長工藝的前處理方法，其特征在于，所述采用含鹵素的氣體對半導體襯底表面進行處理過程中，去除半導體襯底表面的表層。
4.如權利要求1所述的一種選擇性外延生長工藝的前處理方法，其特征在于，所述含鹵素的氣體是指氯化氫氣體、氯氣、氟化氫氣體中之一與氫氣的混合氣體。
5.如權利要求1所述的一種選擇性外延生長工藝的前處理方法，其特征在于，所述含鹵素的氣體是指氯化氫氣體、氯氣或氟化氫氣體。
6.如權利要求1所述的一種選擇性外延生長工藝的前處理方法，其特征在于，還包括：在750～830度溫度下，采用氫氣烘烤所述半導體襯底。
7.一種半導體器件制造方法，其特征在于，包括：
提供一半導體襯底；
在所述半導體襯底中形成淺溝槽隔離；
在所述半導體襯底上形成柵極結構；
在所述柵極結構兩側的半導體襯底中進行蝕刻形成開口；
采用氫氟酸溶液去除所述半導體襯底表面的自然氧化層；
采用含鹵素的氣體對所述半導體襯底表面進行處理；
采用選擇性外延生長工藝在所述開口中生長薄膜。
8.如權利要求7所述的一種半導體器件制造方法，其特征在于，采用含鹵素的氣體對所述半導體襯底表面進行處理之前或之后，還包括：采用氫氣對所述半導體襯底進行烘烤。
9.如權利要求7所述的一種半導體器件制造方法，其特征在于，采用選擇性外延生長工藝在所述開口中生長薄膜之后，還包括：對所述半導體襯底進行離子注入。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
