[發明專利]一種三級運算放大器

有效

• 申請號: 201410110900.1
• 申請日: 2014-03-24
• 公開（公告）號: CN103888082A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 羅萍;齊釗;許志斌;陳偉中;楊云;甄少偉
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H03F1/08
• 分類號: H03F1/08;H03F1/42
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種三級運算放大器，包括依次相連接的偏置電路、第一級放大電路、第二級放大電路和第三級放大電路，其特征在于，還包括電容倍增模模塊，所述電容倍增模塊嵌入到第一級放大電路，所述電容倍增模塊由電流控制電流源組成。

2.根據權利要求1所述的一種三級運算放大器，其特征在于，所述第一級放大電路包括PMOS管M0、PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M7、PMOS管M8、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、補償電容Cm；其中，NMOS管M3、NMOS管M4、補償電容Cm構成電容倍增模塊；

所述第二級放大電路包括PMOS管M9、NMOS管M10；

所述第三級放大電路包括PMOS管M11、NMOS管M12、PMOS管M13和電容Cb；

所述偏置電路包括PMOS管Mb0、PMOS管Mb1、NMOS管Mb2和電流源Ib；

PMOS管M0的源極、PMOS管M7的源極、PMOS管M8的源極、PMOS管M9的源極、PMOS管M11的源極、PMOS管Mb0的源極和PMOS管Mb1的源極均接電源VDD；

PMOS管Mb0的柵極和漏極、PMOS管Mb1的柵極、PMOS管M0的柵極與電流源的正向端連接；

PMOS管M0的漏極與PMOS管M1的源極和PMOS管M2的源極連接，PMOS管M1的柵極為運算放大器的正向輸入端，PMOS管M2的柵極為運算放大器的反向輸入端；

PMOS管M1的漏極與電容補償Cm的一端、NMOS管M3的漏極、NMOS管M3的柵極、NMOS管M4的柵極相連；

PMOS管M2的漏極與NMOS管M5的漏極、NMOS管M5的柵極、NMOS管M6的柵極、NMOS管M10的柵極連接；

NMOS管M6的漏極與PMOS管M7的漏極和柵極以及PMOS管M9的柵極連接；

PMOS管M8的漏極與NMOS管M4的漏極、PMOS管M9的柵極相連；

PMOS管M9的漏極與NMOS管M10的漏極連接，PMOS管M11的柵極與電容Cb的一端相連；

電容Cb的另一端與PMOS管M13的柵極和漏極以及NMOS管M12的柵極連接；

PMOS管M13的源極與NMOS管Mb2的柵極和漏極以及PMOS管Mb1的漏極連接；

NMOS管M12的漏極、PMOS管M11的漏極以及補償電容Cm的另一端連接作為運算放大器的輸出端；

電流源的反向端、NMOS管Mb2的源極、NMOS管M3的源極、NMOS管M4的源極、NMOS管M5的源極、NMOS管M6的源極、NMOS管M10的源極和NMOS管M12的源極均接地。