[發明專利]一種鉻板制造工藝中殘余點的處理方法在審
| 申請號: | 201410110349.0 | 申請日: | 2014-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN103869610A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發明(設計)人: | 陳翻;范利康 | 申請(專利權)人: | 武漢正源高理光學有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/00 | 分類號: | G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228 | 代理人: | 張瑾 |
| 地址: | 430223 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制造 工藝 殘余 處理 方法 | ||
技術領域
本發明涉及鉻板制造工藝,尤指鉻板制造工藝中殘余點的處理方法。
背景技術
在鉻板制造過程中,常出現浮膠、鉆蝕、毛刺、針孔、殘余點(鉻殘留)等缺陷。尤其是殘余點,它的形狀不規則,很像島嶼,尺寸一般比針孔大,俗稱“小島”,至今仍然是業界在批量生產中的一道難題。然而,光學零器件對產品外觀要求非常高,為了改善生產過程中造成的不良,通常的做法是:
一、提高光刻加工過程中所有環節的潔凈度;
二、利用顯微鏡全檢,對不良處進行人為修復。
上述第一種作法,需要采用FFU(風機過濾系統)和嚴格的潔凈控制體系,這種作法所產生的成本高;然而,第二種作法,工作量大且人工長時間使用顯微鏡,容易造成視覺疲勞和疏漏,批量生產成本高。
發明內容
為解決上述技術問題,本發明的主要目的在于提供一種鉻板制造工藝中殘余點的處理方法,具體在于通過二次光刻方式去除陽區中的微細殘余點,該方式是通過鍍膜、光刻等工序,在符合所需的材質玻璃基板上制作圖形,使用第二塊與第一次掩膜圖形大致相當的掩膜版進行二次光刻,去除一次光刻留下的殘余點。
為達成上述目的,本發明應用的技術方案是:一種鉻板制造工藝中殘余點的處理方法,包括的步驟是:基片清洗,將玻璃基片表面清洗干凈;濺射鍍膜,在玻璃基片表面鍍上一層不透光的鉻膜層及氧化鉻抗反射涂層;一次光刻,在玻璃基片表面均勻地涂覆一層正型感光材料,通過掩膜曝光將圖形復制到鉻膜層上面,以及二次光刻,在復制有圖形的鉻膜層上再次涂覆正型感光材料,通過對準掩膜版上預先設計的標記對準進行二次曝光,將第二張掩膜圖形復制到鉻膜層上,然后對其整板進行蝕刻,藉此二次光刻去除第一次光刻留下的殘余點。
在本實施例中優選,所述的基片清洗為采用超聲波清洗。
在本實施例中優選,所述的濺射鍍膜采用的是磁控濺射方式。
在本實施例中優選,所述的鉻膜層為工作層,其鍍在玻璃基片表面的厚度約為100nm。
在本實施例中優選,所述的氧化鉻抗反射涂層約為20nm。
在本實施例中優選,所述的正型感光材料的涂覆厚度約為1um。
在本實施例中優選,所述的第二掩膜與第一掩膜圖形相當。
在本實施例中優選,所述的曝光為采用紫外線曝光方式。
本發明與現有技術相比,其有益的效果是:可在較低的環境潔凈度下徹底清除陽區中的小島缺陷,且處理完后,勿需逐個檢查亦可保證品質。
附圖說明
圖1是鉻板及其鍍膜層結構示意圖。
圖2是鉻板制成中呈現殘余點的放大結構示意圖。
圖3是鉻板制成中呈現難以去除區域殘余點的平面結構示意圖。
圖4是本實施例之工藝流程方框結構示意圖。
圖5是本實施例之一次光刻掩膜圖形的平面結構示意圖。
圖6是本實施例之二次光刻掩膜圖形的平面結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明作進一步的說明。
請參閱圖1并結合參閱圖2至圖6所示,鉻板通常由玻璃襯底1,再鍍上一層鉻膜層2,然后加一層減反射的氧化鉻膜層3組成。然而,在通過光刻加工光學零器件時,利用圖4中掩膜設計圖,對鍍好膜的基板進行一次光刻成型,即制成帶有產品圖形的基板,然后將此塊帶有鉻膜圖形的基板進行清洗、檢驗。在光刻過程中通常因為感光材料、掩膜版或曝光環境等諸多環節,受到灰塵或者異物的影響而導致一次光刻完成后,如呈現在圖2中的鉻框內側形成數量不等、形狀不同、大小各異的殘余點10。
請參閱圖4并結合參閱圖5和圖6所示,為了解決這一技術問題,經過研究和實驗,本發明人提供了一種鉻板制造工藝中殘余點的處理方法,是將一次光刻完成后的基板表面再次均勻的涂覆一層約1um厚度的正型感光材料,然后按照預先設計掩膜圖形選擇需要被保護的區域(如圖5),其所需要達到的目的是將圖6中的“十”標記對準圖5中的“十”標記,使之達到重合后,一次掩膜中保留下來的圖形區域能再次得到感光材料的保護,而產品圖形中間的空白區域不需要得到保護。如此再對其進行蝕刻加工,空白區域的小島即可被去除。值得說明的是:由于對準曝光存在一定的誤差,我們假設這個誤差為n,為了完全能保護一次掩膜中的圖形區域,二次掩膜的圖形設計時,需比一次掩膜的圖形至少大n,參照圖6的線寬尺寸標注,這樣的話距離鉻框內側n值范圍以內如果存在小島是不能被去除的,如圖4中外框與內框之間的區域,?而n的大小取決于光刻機的對準精度,故光刻機對準精度越高越好。
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