[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201410110086.3
• 申請日: 2014-03-21
• 公開（公告）號: CN104934543A
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;張振華;陳吉星;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

技術領域

本發明涉及有機電致發光領域，尤其涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

背景技術

1987年，美國Eastman?Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke報道了有機電致發光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發光器件（OLED）。10V下亮度達到1000cd/m²，其發光效率為1.51lm/W、壽命大于100小時。

在傳統的有機電致發光領域中，電子傳輸速率都要比空穴傳輸速率低兩三個數量級，因而極易造成激子復合幾率的低下，并且使其復合的區域不在發光區域，從而導致發光效率降低。

發明內容

基于此，有必要提供一種發光效率較高的有機電致發光器件。

一種有機電致發光器件，在一個實施例中包括依次層疊的基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；

所述電子阻擋層的材料為小分子化合物和空穴傳輸材料的混合物，所述小分子化合物為鋅化合物、銫鹽、噻吩小分子或有機硅小分子，所述鋅化合物為氧化鋅、氯化鋅或硫化鋅，所述銫鹽為氟化銫、碳酸銫、氯化銫或疊氮銫，所述噻吩小分子為3-己基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩，所述有機硅小分子為二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-雙（三苯基硅）苯或p-雙（三苯基硅）苯。

在一個實施例中，所述電子阻擋層的材料為質量比為0.05～0.2：1的所述鋅化合物和所述銫鹽之一與所述空穴傳輸材料的混合物，所述空穴傳輸材料為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺。

在一個實施例中，所述空穴阻擋層的材料為錸化合物，所述錸化合物為七氧化二錸、二氧化錸、三氧化二錸或三氧化錸；

所述電子阻擋層的厚度為10nm～50nm，所述空穴阻擋層的厚度為1nm～15nm。

在一個實施例中，所述空穴阻擋層的材料為質量比為5～10：1的空穴摻雜客體材料和磷光材料的混合物，所述空穴摻雜客體材料為2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-對苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-銨）三苯胺或二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-聯苯二胺，所述磷光材料為雙（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合銥、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥或三（2-苯基吡啶）合銥；

所述電子阻擋層的厚度為2nm～20nm，所述空穴阻擋層的厚度為5nm～20nm。

在一個實施例中，所述電子阻擋層的材料為質量比為1：5～15的所述噻吩小分子和所述空穴傳輸材料的混合物，所述空穴傳輸材料為N,N,N',N’-(四甲氧基苯基)-對二氨基聯苯、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷；

所述空穴阻擋層的材料為質量比為15～40：1的酞菁類金屬化合物和磷光材料的混合物，所述酞菁類金屬化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂或酞菁釩，所述磷光材料雙（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合銥、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥或三（2-苯基吡啶）合銥；

所述電子阻擋層的厚度為5nm～20nm，所述空穴阻擋層的厚度為5nm～15nm。

在一個實施例中，所述電子阻擋層的材料為質量比為1～3：1的所述有機硅小分子和所述空穴傳輸材料的混合物，所述空穴傳輸材料為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺；

所述空穴阻擋層的材料為質量比為3～5：1的酞菁類金屬化合物和鈹配合物的混合物，所述酞菁類金屬化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂或酞菁釩，所述鈹配合物為吩基吡啶鈹、10-羥基苯并喹啉鈹、8-羥基喹啉鈹或2-甲基-8-羥基喹啉鈹；

所述電子阻擋層的厚度為10nm～40nm，所述空穴阻擋層的厚度為10nm～50nm。

在一個實施例中，所述空穴注入層的材料為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩，所述空穴注入層的厚度為20nm～80nm；