[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410110086.3
• 申請(qǐng)日: 2014-03-21
• 公開（公告）號(hào): CN104934543A
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;黃輝;張振華;陳吉星;王平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的基底、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；

所述電子阻擋層的材料為小分子化合物和空穴傳輸材料的混合物，所述小分子化合物為鋅化合物、銫鹽、噻吩小分子或有機(jī)硅小分子，所述鋅化合物為氧化鋅、氯化鋅或硫化鋅，所述銫鹽為氟化銫、碳酸銫、氯化銫或疊氮銫，所述噻吩小分子為3-己基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩，所述有機(jī)硅小分子為二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-雙（三苯基硅）苯或p-雙（三苯基硅）苯。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子阻擋層的材料為質(zhì)量比為0.05～0.2：1的所述鋅化合物和所述銫鹽之一與所述空穴傳輸材料的混合物，所述空穴傳輸材料為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺。

3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴阻擋層的材料為錸化合物，所述錸化合物為七氧化二錸、二氧化錸、三氧化二錸或三氧化錸；

所述電子阻擋層的厚度為10nm～50nm，所述空穴阻擋層的厚度為1nm～15nm。

4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴阻擋層的材料為質(zhì)量比為5～10：1的空穴摻雜客體材料和磷光材料的混合物，所述空穴摻雜客體材料為2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-對(duì)苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-銨）三苯胺或二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-聯(lián)苯二胺，所述磷光材料為雙（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合銥、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥或三（2-苯基吡啶）合銥；

所述電子阻擋層的厚度為2nm～20nm，所述空穴阻擋層的厚度為5nm～20nm。

5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子阻擋層的材料為質(zhì)量比為1：5～15的所述噻吩小分子和所述空穴傳輸材料的混合物，所述空穴傳輸材料為N,N,N',N’-(四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷；

所述空穴阻擋層的材料為質(zhì)量比為15～40：1的酞菁類金屬化合物和磷光材料的混合物，所述酞菁類金屬化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂或酞菁釩，所述磷光材料雙（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合銥、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥或三（2-苯基吡啶）合銥；

所述電子阻擋層的厚度為5nm～20nm，所述空穴阻擋層的厚度為5nm～15nm。

6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子阻擋層的材料為質(zhì)量比為1～3：1的所述有機(jī)硅小分子和所述空穴傳輸材料的混合物，所述空穴傳輸材料為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺；

所述空穴阻擋層的材料為質(zhì)量比為3～5：1的酞菁類金屬化合物和鈹配合物的混合物，所述酞菁類金屬化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂或酞菁釩，所述鈹配合物為吩基吡啶鈹、10-羥基苯并喹啉鈹、8-羥基喹啉鈹或2-甲基-8-羥基喹啉鈹；

所述電子阻擋層的厚度為10nm～40nm，所述空穴阻擋層的厚度為10nm～50nm。