[發明專利]針對通孔的光學臨近修正方法

在審

• 申請號: 201410110058.1
• 申請日: 2014-03-24
• 公開（公告）號: CN103869599A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 王丹;于世瑞;張瑜;毛智彪
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發明涉及一種針對通孔的光學臨近修正方法。

背景技術

通孔用于連接上下層金屬線，現有光刻工藝條件下，通孔的光刻工藝窗口常常比金屬線的光刻工藝窗口小很多。通孔的光刻工藝窗口已經成為影響產品良率的重要因素。OPC（OpticalProximityCorrection，光學臨近修正）常規的通孔修正一般是先將所有的通孔進行整體放大，再用OPC模型對整體放大后的通孔進行修正。

隨著集成電路技術節點越來越小，通孔的整體放大尺寸很難控制。首先，通孔的整體放大不足，孤立通孔的光刻工藝窗口會非常小。如果連接上下層金屬線只有一個孤立通孔，即該通孔與周圍任一通孔都是非同電位關系，一旦該通孔成為盲孔，該通孔處電路會發生斷路。其次，通孔的整體放大過大，雖然孤立通孔的光刻工藝窗口會增大，但是密集通孔與周圍通孔合并的風險也會增大。如果密集通孔是同電位關系，通孔的合并會影響器件性能；如果密集通孔是非同電位關系，則通孔的合并會導致不同電位通孔處電路發生短路。因此，對通孔的整體放大已經不能反映每一個通孔所處的電位環境，常規的OPC修正方法也已經不能保證每一個通孔的光刻工藝窗口。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在的上述缺陷，提供一種能夠最大限度的提高每一個通孔的光刻工藝窗口、進而提高產品良率的針對通孔的光學臨近修正方法。

為了實現上述技術目的，根據本發明，提供了一種針對通孔的光學臨近修正方法，其特征在于包括：

在對通孔執行光學臨近修正之前，判斷特定通孔分別與其四個側邊處的四個相鄰通孔的電位關系，所述電位關系包括同電位關系和非同電位關系；

對于所述特定通孔與所述特定通孔側邊處的相鄰通孔處于同電位關系，使得特定通孔相應的側邊增加一個同電位補值；

對于所述特定通孔與所述特定通孔側邊處的相鄰通孔處于非同電位關系，使得特定通孔相應的側邊增加一個非同電位補值；

對經過特殊處理的通孔執行光學臨近修正。

優選地，當所述特定通孔所連接的上層金屬線和下層金屬線與所述四個相鄰通孔之一所連接的上層金屬線和下層金屬線均不同時，所述特定通孔與所述四個相鄰通孔之一為非同電位關系。

優選地，當所述特定通孔所連接的上層金屬線與所述四個相鄰通孔之一所連接的上層金屬線相同時，所述特定通孔與所述四個相鄰通孔之一為同電位關系。

優選地，當所述特定通孔所連接的下層金屬線與所述四個相鄰通孔之一所連接的下層金屬線相同時，所述特定通孔與所述四個相鄰通孔之一為同電位關系。

優選地，同電位補值大于非同電位補值。

優選地，同電位補值介于通孔的關鍵尺寸的0.5%到通孔的關鍵尺寸的30%之間。

優選地，非同電位補值介于通孔的關鍵尺寸的0.5%到通孔的關鍵尺寸的15%之間。

附圖說明

結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中：

圖1至圖4示意性地示出了通孔間的各種同電位關系和非同電位關系。

圖5示意性地示出了根據本發明優選實施例的通孔的每一條邊與相鄰通孔的電位關系。

圖6示意性地示出了根據本發明優選實施例的通孔的每一條邊根據電位關系加相應的補值。

需要說明的是，附圖用于說明本發明，而非限制本發明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。

具體實施方式

為了使本發明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發明的內容進行詳細描述。

本發明提出結合上下層金屬線判斷兩個通孔間的電位關系，對通孔的每一條側邊根據電位關系增加相應的補值，之后再對加過補值的通孔進行常規的OPC修正。這一方法可以彌補通孔常規的OPC修正中不能反映每一個通孔所處電位環境的不同，在電位環境允許的情況下，最大限度的提高每一個通孔的光刻工藝窗口。

具體地，在對通孔進行OPC修正時，首先結合上下層金屬線判斷兩個通孔間的電位關系。如果相鄰兩個通孔是同電位關系，則對通孔滿足同電位關系的側邊加一同電位補值；如果相鄰兩個通孔是非同電位關系，則對通孔滿足非同電位關系的側邊加一不同電位補值。之后再對加過補值的通孔進行常規的OPC修正。

下面參考附圖來描述本發明的優選實施例