[發明專利]針對通孔的光學臨近修正方法在審
| 申請號： | 201410110058.1 | 申請日： | 2014-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN103869599A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 王丹;于世瑞;張瑜;毛智彪 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/36 | 分類號： | G03F1/36;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 針對 光學 臨近 修正 方法 | ||
1.一種針對通孔的光學臨近修正方法，其特征在于包括：
在對通孔執行光學臨近修正之前，判斷特定通孔分別與其四個側邊處的四個相鄰通孔的電位關系，所述電位關系包括同電位關系和非同電位關系；
對于所述特定通孔與所述特定通孔側邊處的相鄰通孔處于同電位關系，使得特定通孔相應的側邊增加一個同電位補值；
對于所述特定通孔與所述特定通孔側邊處的相鄰通孔處于非同電位關系，使得特定通孔相應的側邊增加一個非同電位補值；
對經過特殊處理的通孔執行光學臨近修正。
2.根據權利要求1所述的針對通孔的光學臨近修正方法，其特征在于，當所述特定通孔所連接的上層金屬線和下層金屬線與所述四個相鄰通孔之一所連接的上層金屬線和下層金屬線均不同時，所述特定通孔與所述四個相鄰通孔之一為非同電位關系。
3.根據權利要求1或2所述的針對通孔的光學臨近修正方法，其特征在于，當所述特定通孔所連接的上層金屬線與所述四個相鄰通孔之一所連接的上層金屬線相同時，所述特定通孔與所述四個相鄰通孔之一為同電位關系。
4.根據權利要求1或2所述的針對通孔的光學臨近修正方法，其特征在于，當所述特定通孔所連接的下層金屬線與所述四個相鄰通孔之一所連接的下層金屬線相同時，所述特定通孔與所述四個相鄰通孔之一為同電位關系。
5.根據權利要求1或2所述的針對通孔的光學臨近修正方法，其特征在于，同電位補值大于非同電位補值。
6.根據權利要求1或2所述的針對通孔的光學臨近修正方法，其特征在于，同電位補值介于通孔的關鍵尺寸的0.5%到通孔的關鍵尺寸的30%之間。
7.根據權利要求1或2所述的針對通孔的光學臨近修正方法，其特征在于，非同電位補值介于通孔的關鍵尺寸的0.5%到通孔的關鍵尺寸的15%之間。
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G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
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