[發明專利]閃存物理塊的控制方法及裝置

在審

• 申請號: 201410109844.X
• 申請日: 2014-03-21
• 公開（公告）號: CN103927262A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 譚星;陳寄福;吳大畏
• 申請（專利權）人: 深圳市硅格半導體有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國;肖小紅

技術領域

本發明涉及數據存儲領域，尤其涉及閃存物理塊的控制方法及裝置。

背景技術

閃存的物理塊存在兩種模式，分別是單層單元模式（SLC，Single-Level?cell）和多層單元模式（MLC，Multi-Level?cell），所述多層單元模式還包括三層單元模式（TLC，Triple-Level?cell），物理塊的工作模式不同其擦寫壽命也不同，當物理塊的擦寫次數超過該物理塊工作模式的擦寫壽命時，用該物理塊寫入或者讀取數據就會出錯，當物理塊的擦寫壽命已盡不能正常運行時會造成閃存不能再繼續正常運行。

目前常用的做法是，在對物理塊進行數據存儲時，通常是直接將數據存儲至物理塊對應的存儲區域，并不對上述物理塊是否能夠正常使用進行檢測；這種處理方式容易造成數據丟失，數據存儲的安全性不高。

上述內容僅用于輔助理解本發明的技術方案，并不代表承認上述內容是現有技術。

發明內容

本發明的主要目的在于提供閃存物理塊的控制方法及裝置，旨在提高閃存物理塊存儲數據的安全性。

為實現上述目的，本發明實施例提供一種閃存物理塊的控制方法，所述方法包括以下步驟：

獲取閃存的物理塊中多層單元模式物理塊的信息，并實時檢測所述多層單元模式物理塊的安全等級值是否達到預設等級值；

在所述安全等級值沒有達到預設等級值時，將所述多層單元模式物理塊轉換為單層單元模式物理塊；

利用轉換得到的單層單元模式物理塊進行數據的寫入和/或存儲。

優選地，所述實時檢測所述多層單元模式物理塊的安全等級值是否達到預設等級值，包括：

檢測所述多層單元模式物理塊的擦寫次數是否高于預設閾值；

和/或，檢測

所述多層單元模式物理塊的錯誤檢查和糾正的比特數與錯誤檢查和糾正能力值的比值是否達到預設比值；

和/或，檢測

錯誤檢查和糾正處理而無法進行糾正的所述多層單元模式物理塊是否是通過錯誤檢查和糾正處理而無法進行糾正的物理塊。

優選地，所述獲取閃存的物理塊中多層單元模式物理塊的信息，并實時檢測所述多層單元模式物理塊的安全等級值是否達到預設等級值的步驟之前還包括:

將閃存中的物理塊劃分為算法區和第一數據區，所述算法區包括閃存的物理塊中的單層單元模式物理塊，且所述算法區用于數據的寫入；所述第一數據區包括閃存的物理塊中的多層單元模式物理塊，且所述第一數據區用于數據的存儲。優選地，所述利用轉換得到的所述單層單元模式物理塊進行數據的寫入的步驟包括：

將所述轉換得到的單層單元模式物理塊加入所述閃存的算法區；

在所述轉換得到的單層單元模式物理塊加入所述算法區后，利用所述轉換得到的單層單元模式物理塊進行數據的編程。

優選地，所述利用轉換得到的所述單層單元模式物理塊進行數據的存儲的步驟包括：

將所述轉換得到的單層單元模式物理塊加入所述第一數據區或者將所述轉換得到的單層單元模式物理塊重新組成第二數據區；

在將所述轉換得到的單層單元模式物理塊加入所述第一數據區或者將所述轉換得到的單層單元模式物理塊重新組成第二數據區后，利用所述轉換得到的單層單元模式物理塊進行數據的存儲，且所述第一數據區或者所述第二數據區在接收到需進行存儲的數據時，將所述需進行存儲的數據優先存儲在所述轉換得到的單層單元模式物理塊中。

本發明進一步提供的閃存物理塊的控制裝置，所述裝置包括：

檢測模塊，用于獲取閃存的物理塊中多層單元模式物理塊的信息，并實時檢測所述多層單元模式物理塊的安全等級值是否達到預設等級值；

轉換模塊，用于在所述安全等級值沒有達到預設等級值時，將所述多層單元模式物理塊轉換為單層單元模式物理塊；

分配模塊，用于利用所述轉換得到的單層單元模式物理塊進行數據的寫入和/或存儲。

優選地，所述檢測模塊包括：

擦寫次數評估單元，用于檢測所述多層單元模式物理塊的擦寫次數是否高于預設閾值；

和/或，

錯誤率評估單元，用于檢測所述多層單元模式物理塊的錯誤檢查和糾正的比特數與錯誤檢查和糾正能力值的比值是否達到預設比值；

和/或，

無法糾正評估單元，用于檢測所述多層單元模式物理塊是否是通過錯誤檢查和糾正處理而無法進行糾正的物理塊。

優選地，所述裝置包括：