[發明專利]閃存物理塊的控制方法及裝置

在審

• 申請號: 201410109844.X
• 申請日: 2014-03-21
• 公開（公告）號: CN103927262A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 譚星;陳寄福;吳大畏
• 申請（專利權）人: 深圳市硅格半導體有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國;肖小紅

1.一種閃存物理塊的控制方法，其特征在于，包括以下步驟：

獲取閃存的物理塊中多層單元模式物理塊的信息，并實時檢測所述多層單元模式物理塊的安全等級值是否達到預設等級值；

在所述安全等級值沒有達到預設等級值時，將所述多層單元模式物理塊轉換為單層單元模式物理塊；

利用轉換得到的單層單元模式物理塊進行數據的寫入和/或存儲。

2.如權利要求1所述的閃存物理塊的控制方法，其特征在于，所述實時檢測所述多層單元模式物理塊的安全等級值是否達到預設等級值，包括：

檢測所述多層單元模式物理塊的擦寫次數是否高于預設閾值；

和/或，檢測所述多層單元模式物理塊的錯誤檢查和糾正的比特數與錯誤檢查和糾正能力值的比值是否達到預設比值；

和/或，檢測所述多層單元模式物理塊是否是通過錯誤檢查和糾正處理而無法進行糾正的物理塊。

3.如權利要求1或2所述的閃存物理塊的控制方法，其特征在于，所述獲取閃存的物理塊中多層單元模式物理塊的信息，并實時檢測所述多層單元模式物理塊的安全等級值是否達到預設等級值的步驟之前還包括:

將閃存中的物理塊劃分為算法區和第一數據區，所述算法區包括閃存的物理塊中的單層單元模式物理塊，且所述算法區用于數據的寫入；所述第一數據區包括閃存的物理塊中的多層單元模式物理塊，且所述第一數據區用于數據的存儲。

4.如權利要求3所述的閃存物理塊的控制方法，其特征在于，所述利用轉換得到的所述單層單元模式物理塊進行數據的寫入的步驟包括：

將所述轉換得到的單層單元模式物理塊加入所述閃存的算法區；

在所述轉換得到的單層單元模式物理塊加入所述算法區后，利用所述轉換得到的單層單元模式物理塊進行數據的編程。

5.如權利要求3所述的閃存物理塊的控制方法，其特征在于，所述利用轉換得到的所述單層單元模式物理塊進行數據的存儲的步驟包括：

將所述轉換得到的單層單元模式物理塊加入所述第一數據區或者將所述轉換得到的單層單元模式物理塊重新組成第二數據區；

在將所述轉換得到的單層單元模式物理塊加入所述第一數據區或者將所述轉換得到的單層單元模式物理塊重新組成第二數據區后，利用所述轉換得到的單層單元模式物理塊進行數據的存儲，且所述第一數據區或者所述第二數據區在接收到需進行存儲的數據時，將所述需進行存儲的數據優先存儲在所述轉換得到的單層單元模式物理塊中。

6.一種閃存物理塊的控制裝置，其特征在于，所述裝置包括：

檢測模塊，用于獲取閃存的物理塊中多層單元模式物理塊的信息，并實時檢測所述多層單元模式物理塊的安全等級值是否達到預設等級值；

轉換模塊，用于在所述安全等級值沒有達到預設等級值時，將所述多層單元模式物理塊轉換為單層單元模式物理塊；

分配模塊，用于利用轉換得到的單層單元模式物理塊進行數據的寫入和/或存儲。

7.如權利要求6所述的閃存物理塊的控制裝置，其特征在于，所述檢測模塊包括：

擦寫次數評估單元，用于檢測所述多層單元模式物理塊的擦寫次數是否高于預設閾值；

和/或，

錯誤率評估單元，用于檢測所述多層單元模式物理塊的錯誤檢查和糾正的比特數與錯誤檢查和糾正能力值的比值是否達到預設比值；

和/或，

無法糾正評估單元，用于檢測錯誤檢查和糾正處理而無法進行糾正的所述多層單元模式物理塊是否是通過錯誤檢查和糾正處理而無法進行糾正的物理塊。

8.如權利要求6或7所述的閃存物理塊的控制裝置，其特征在于，所述裝置包括：

分區模塊，用于將閃存中的物理塊劃分為算法區和第一數據區，所述算法區包括閃存的物理塊中的單層單元模式物理塊，且所述算法區用于數據的寫入；所述第一數據區包括閃存的物理塊中的多層單元模式物理塊，且所述第一數據區用于數據的存儲。

9.如權利要求8所述的閃存物理塊的控制裝置，其特征在于，所述分配模塊包括：

第一添加單元，用于將所述轉換得到的單層單元模式物理塊加入所述閃存的算法區；

第一分工單元，用于在所述轉換得到的單層單元模式物理塊加入所述算法區后，利用所述轉換得到的單層單元模式物理塊進行數據的編程。

10.如權利要求8所述的閃存物理塊的控制裝置，其特征在于，所述分配模塊包括：

第二添加單元，用于將所述轉換得到的單層單元模式物理塊加入所述第一數據區或者將所述轉換得到的單層單元模式物理塊重新組成第二數據區；

第二分工單元，用于在將所述轉換得到的單層單元模式物理塊加入所述第一數據區或者將所述轉換得到的單層單元模式物理塊重新組成第二數據區后，利用所述轉換得到的單層單元模式物理塊進行數據的存儲，且所述第一數據區或者所述第二數據區在接收到需進行存儲的數據時，將所述需進行存儲的數據優先存儲在所述轉換得到的單層單元模式物理塊中。