[發(fā)明專利]用于檢測P型源漏離子注入導(dǎo)致位錯缺陷的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410109613.9
• 申請日: 2014-03-20
• 公開（公告）號: CN103887201A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 范榮偉;劉飛鈺;龍吟;倪棋梁;陳宏璘
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 吳俊

1.用于檢測P型源漏離子注入導(dǎo)致位錯缺陷的方法，其特征在于，包括下述步驟：

步驟1.提供用于前段工藝制程和中段工藝制程的掩膜板；

步驟2.將一測試硅片依次按照所述前段工藝制程和中段工藝制程進(jìn)行流片；

步驟3.當(dāng)所述中段工藝制程進(jìn)行至平坦化研磨工藝完成后，形成一測試結(jié)構(gòu)；

步驟4.將所述測試結(jié)構(gòu)放置于電子束檢測儀的監(jiān)控產(chǎn)品測試位置；

步驟5.采用所述電子束檢測儀對所述測試結(jié)構(gòu)的P型源漏離子注入?yún)^(qū)域進(jìn)行位錯缺陷檢測，判斷所述測試結(jié)構(gòu)是否有漏電現(xiàn)象，若是則所述測試結(jié)構(gòu)存在位錯缺陷；若否則所述測試結(jié)構(gòu)不存在位錯缺陷。

2.如權(quán)利要求1所述用于檢測P型源漏離子注入導(dǎo)致位錯缺陷的方法，其特征在于，所述測試結(jié)構(gòu)的線間距離與監(jiān)控產(chǎn)品的多晶硅的線間距離相同，所述有源區(qū)結(jié)構(gòu)與所述監(jiān)控產(chǎn)品的有源區(qū)最小寬度相同，所述柵氧化層的結(jié)構(gòu)與所述監(jiān)控產(chǎn)品的柵氧化層結(jié)構(gòu)相同。

3.如權(quán)利要求1所述用于檢測P型源漏離子注入導(dǎo)致位錯缺陷的方法，其特征在于，所述有源區(qū)結(jié)構(gòu)與監(jiān)控產(chǎn)品的有源區(qū)最大寬度相同。

4.如權(quán)利要求1所述用于檢測P型源漏離子注入導(dǎo)致位錯缺陷的方法，其特征在于，所述平坦化研磨為平坦化鎢研磨。

5.如權(quán)利要求1所述用于檢測P型源漏離子注入導(dǎo)致位錯缺陷的方法，其特征在于，所述電子束檢測儀在正電勢條件下對所述測試結(jié)構(gòu)進(jìn)行位錯缺陷檢測。

6.如權(quán)利要求1所述用于檢測P型源漏離子注入導(dǎo)致位錯缺陷的方法，其特征在于，步驟4所述測試位置為切割道的位置。