[發明專利]電子部件用層疊布線膜和覆蓋層形成用濺射靶材

有效

• 申請號: 201410108904.6
• 申請日: 2014-03-21
• 公開（公告）號: CN104064549A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 村田英夫
• 申請（專利權）人: 日立金屬株式會社
• 主分類號: H01L23/532
• 分類號: H01L23/532;H01L29/45;C23C14/34
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

技術領域

本發明涉及要求耐濕性、耐氧化性的電子部件用層疊布線膜和用于形成覆蓋該電子部件用層疊布線膜的主導電層的覆蓋層的覆蓋層形成用濺射靶材。

背景技術

除了液晶顯示器（以下稱作“LCD”。）、等離子顯示板（以下稱作“PDP”）、電子紙等所利用的電泳型顯示器等平面顯示裝置（平板顯示器、以下稱作“FPD”）之外，在各種半導體器件、薄膜傳感器、磁頭等薄膜電子部件中也需要形成低電阻的布線膜。例如在玻璃基板上制作薄膜器件而成的LCD、PDP、有機EL顯示器等FPD隨著大畫面、高精細、高速響應化，對其布線膜要求低電阻化。近年來，進一步開發了對FPD添加操作性的觸摸面板、采用樹脂基板的柔性的FPD等新的產品。

近年來，就作為FPD的驅動元件所使用的薄膜晶體管（以下稱作“TFT”）而言，Si半導體膜是主流，存在低電阻的布線膜的Al在與Si直接接觸時會因制造TFT的過程中的加熱工序而擴散、使TFT的特性劣化的情況。因此，在Al和Si之間采用將耐熱性優異的純Mo、Mo合金作為阻擋膜的層疊布線膜。

此外，自TFT連接的像素電極、便攜型終端或平板PC等所采用的觸摸面板的位置檢測電極通常采用作為透明導電膜的銦－錫氧化物（以下稱作“ITO”）。在這種情況下，也存在作為布線膜的Al與ITO接觸時會在布線膜與ITO的界面生成氧化物，電接觸性劣化的情況。因此，在Al和ITO之間作為接觸膜形成純Mo、Mo合金來確保Al與ITO的接觸性。

像以上那樣，為了獲得活用了Al的低電阻特性的布線膜，純Mo、Mo合金膜不可或缺，需要做成用純Mo、Mo合金覆蓋Al而成的層疊布線膜。

并且，近年來，使用了氧化物的半導體膜的研究正積極地進行，該氧化物被認為比非晶質Si半導體更適合高速驅動，對于作為這些氧化物半導體和Al的層疊膜的接觸膜、阻擋膜所使用的覆蓋層也研究了應用純Mo。

因此，作為改善純Mo的特性的方案，本申請人提出了耐腐蝕性、耐熱性、與基板的密合性優異的、低電阻的、向Mo中添加3原子%～50原子%的V、Nb而成的Mo合金膜（例如參照專利文獻1）。

專利文獻1：日本特開2002－190212號公報

在上述專利文獻1中提出的Mo－V、Mo－Nb合金等與Mo相比耐腐蝕性、耐熱性、與基板的密合性更優異，因此，在形成于玻璃基板上的FPD用途中廣為使用。

但是，在制造FPD的情況下，在基板上形成了層疊布線膜之后移動到下一工序時，存在長時間放置在大氣中的情況。此外，為了提高便利性，在采用樹脂薄膜的、輕量且柔性的FPD等中，樹脂薄膜與迄今的玻璃基板等相比較存在透濕性，因此，對于層疊布線膜要求更高的耐濕性。

并且，在將信號線纜安裝于FPD的端子部等時，存在在大氣中被加熱的情況，因此，對于層疊布線膜也要求提高耐氧化性。此外，在采用氧化物的半導體膜中，為了提高特性、穩定化，存在形成含有氧的保護膜之后在含有氧的氣氛中以350℃以上的高溫進行加熱處理的情況。因此，為了在經歷了這些加熱處理之后也能夠維持穩定的特性，對于層疊布線膜進一步要求提高耐氧化性。

根據本發明人的研究確認到，在上述Mo－V、Mo－Nb合金、純Mo中，上述環境中的耐濕性、耐氧化性并不充分，存在在FPD的制造工序中做成層疊布線膜的覆蓋層之時產生表面會氧化而變色的問題的情況。若耐氧化性不充分，則使電接觸性劣化，導致電子部件的可靠性降低。

還確認到，為了高速驅動，TFT制造工序中的加熱溫度存在上升的傾向，若經歷更高溫度的加熱工序，則存在層疊布線膜所含有的合金元素向Al擴散而電阻值增加的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種使用覆蓋層的電子部件用層疊布線膜和覆蓋層形成用濺射靶材，該覆蓋層由Mo合金構成，改善了耐濕性和耐氧化性，并且，在與作為低電阻的主導電層的Al層疊時即使經歷加熱工序也能夠維持較低的電阻值。

本發明人鑒于上述課題，致力于向Mo新添加的元素的最佳化。其結果發現，通過向Mo中復合地添加特定量的Ni和Nb，提高了耐濕性和耐氧化性，并且在做成作為主導電層的Al的覆蓋層之時即使經歷加熱工序也能夠維持較低的電阻值，實現了本發明。