[發明專利]陶瓷部件及半導體制造裝置用部件

有效

• 申請號: 201410108729.0
• 申請日: 2014-03-21
• 公開（公告）號: CN104064534B
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 渡邊篤;西村升
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H01L23/32
• 分類號: H01L23/32;C04B35/00
• 代理公司: 上海市華誠律師事務所 31210
• 代理人: 李曉

本發明提供一種陶瓷部件以及半導體制造裝置用部件，其在包含氧化鎂的陶瓷部件以及半導體制造裝置用部件中，具有性能得到改進的電極。半導體制造裝置用部件20具有基材部22以及形成于基材部22上的陶瓷部件30。本發明的陶瓷部件30具有陶瓷基體32和設置在陶瓷基體32的一部分上的電極34，其中陶瓷基體32包含氧化鎂、規定成分固溶于氧化鎂中的氧化鎂固溶體以及氧化鋯中的至少一種，電極34包含作為電極成分的釕鋁合金。陶瓷部件30是平板狀部件，其具有電極34被埋設在其內部的結構。該電極34與從陶瓷部件30的下側插入的供電部件26連接，由該供電部件26供給電力。

技術領域

本發明涉及陶瓷部件以及半導體制造裝置用部件。

背景技術

傳統上，作為半導體制造裝置用部件，提出了平面度為20μm以下的靜電卡盤（例如，參照專利文獻1），該靜電卡盤使用氧化鋁作為絕緣介電層，使用以鎢、碳化鎢為主成分的電極，并使其絕緣介電層的吸附面一側的表面粗糙度Ra為0.25μm以下。在該靜電卡盤中，由靜電吸附力飽和時間和殘余吸附力消失時間構成的響應較短，效率較好。此外，作為半導體制造裝置用部件，提出了具有由氧化鎂構成的基體、由選自于Ni、Co和Fe構成的群組中的至少一種金屬形成的電極的靜電卡盤（例如，參照專利文獻2）。該靜電卡盤可抑制微裂紋和翹曲（Warpage）的發生，同時防止電極材料向介電層的擴散。現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平7-297265號公報

專利文獻2：日本特開2011-86919號公報

發明內容

本發明所要解決的問題

然而，在使用以氧化鎂或氧化鋯為主成分的陶瓷基體的陶瓷部件中，使用專利文獻1中記載的電極材料的話，會產生例如因熱膨脹系數差異導致的裂紋、電極材料向陶瓷基體中擴散等不良狀況。此外，專利文獻2中記載的電極材料包含磁性元素，例如其作為靜電卡盤使用時的性能被期望得到進一步地改進。因此，希望尋找一種在以氧化鎂或氧化鋯為主成分的基體中使用的更合適的電極。

考慮到上述技術問題進行本發明，本發明的主要目的在于提供陶瓷部件以及半導體制造裝置用部件，該陶瓷部件具有在包含氧化鎂或氧化鋯之物中，性能得到進一步改進的電極。

用于解決技術問題的方案

作為為了實現上述主要目的深入研究的結果，本發明人發現，例如，使用包含釕和鋁的合金的電極，可抑制產生裂紋，進一步降低比電阻值，進一步抑制電極材料向基體的擴散等，從而是更優選的，由此完成了本發明。

也就是說，本發明的陶瓷部件包括：

陶瓷基體，其包含氧化鎂、規定成分固溶于氧化鎂中而成的氧化鎂固溶體以及氧化鋯中的至少一種，以及

設置在所述陶瓷基體的一部分上的電極，其包含作為電極成分的釕鋁合金。

本發明的半導體制造裝置用部件具有上述陶瓷部件。

發明效果

本發明的陶瓷部件及半導體制造裝置用部件可具有性能得到進一步改進的電極。例如，抑制產生裂紋，進一步降低比電阻值，進一步抑制電極材料向基體的擴散等，從而是更優選的。其原因推測如下。例如，氧化鎂和氧化鋯在具有較高耐蝕性的同時具有相對較高的熔點（例如1600℃以上），以及相對較高的熱膨脹系數（例如10-13ppm/K）。與此相對的，釕鋁合金即使被合金化也顯示出比Ru相對更高的熔點，比Al相對更高的熱膨脹系數，并且其與陶瓷基體之間的反應性較低。更進一步地，通過調整Ru/Al比率，可將熱膨脹系數調節到與氧化鎂和氧化鋯近似的范圍內。推定因為該原因，可抑制裂紋的產生，進一步降低比電阻值，進一步抑制電極材料向基體的擴散。

附圖說明