[發(fā)明專利]陶瓷部件及半導(dǎo)體制造裝置用部件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410108729.0
• 申請日: 2014-03-21
• 公開（公告）號: CN104064534B
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 渡邊篤;西村升
• 申請（專利權(quán)）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H01L23/32
• 分類號: H01L23/32;C04B35/00
• 代理公司: 上海市華誠律師事務(wù)所 31210
• 代理人: 李曉

1.一種陶瓷部件，其包括：

陶瓷基體，所述陶瓷基體包含氧化鎂、規(guī)定成分固溶于氧化鎂中而成的氧化鎂固溶體以及氧化鋯中的至少一種，以及

設(shè)置在所述陶瓷基體的一部分上的電極，所述電極包含釕鋁合金作為電極成分。

2.如權(quán)利要求1所述的陶瓷部件，其特征在于，所述電極還包含Mg、Zr、Y、Ca、Ce、N和O中的一種以上作為所述電極成分。

3.如權(quán)利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述電極的原料中，Ru相對于Ru和Al之和的百分比在大于20摩爾％、小于等于95摩爾％的范圍內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述電極以釕鋁合金粉末為原料燒結(jié)而成。

5.如權(quán)利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述電極以釕粉末與鋁粉末為原料燒結(jié)而成。

6.如權(quán)利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述電極的厚度為1μm以上、200μm以下。

7.如權(quán)利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基體包含所述氧化鎂固溶體，所述氧化鎂固溶體以Al、N成分固溶于氧化鎂中形成的Mg(Al)O(N)為主相。

8.如權(quán)利要求7所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基體包含所述氧化鎂固溶體，所述氧化鎂固溶體中的所述Mg(Al)O(N)在使用Cu Kα線時(shí)的(111)面、或(200)面、或(220)面的XRD峰各自出現(xiàn)在氧化鎂立方晶體的峰與氮化鋁立方晶體的峰之間，即在2θ為36.9-39度、42.9-44.8度、62.3-65.2度內(nèi)。

9.如權(quán)利要求7所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基體包含所述氧化鎂固溶體，所述氧化鎂固溶體中的所述Mg(Al)O(N)的(200)面、或(220)面的XRD峰各自出現(xiàn)在2θ為42.92度以上、62.33度以上。

10.如權(quán)利要求7所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基體包含所述氧化鎂固溶體，所述氧化鎂固溶體中的所述Mg(Al)O(N)的(200)面的XRD峰的積分寬度為0.50度以下。

11.如權(quán)利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基體包含所述氧化鎂固溶體，其中所述氧化鎂固溶體不含AlN結(jié)晶相。

12.如權(quán)利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基體包含所述氧化鎂固溶體，其中所述氧化鎂固溶體包含作為副相的Mg-Al氮氧化物相，在使用Cu Kα線時(shí)，所述Mg-Al氮氧化物相的XRD峰至少出現(xiàn)在2θ為47-49度內(nèi)。

13.如權(quán)利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基體包含所述氧化鎂固溶體，在所述氧化鎂固溶體的混合粉末組成中，氧化鎂為49質(zhì)量％以上99質(zhì)量％以下，氮化鋁為0.5質(zhì)量％以上25質(zhì)量％以下，以及氧化鋁為0.5質(zhì)量％以上30質(zhì)量％以下。

14.如權(quán)利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基體包含所述氧化鋯，其中所述氧化鋯包含穩(wěn)定劑。

15.如權(quán)利要求1所述的陶瓷部件，其特征在于，所述氧化鎂固溶體通過將Al、N、Ga、Zr以及Li中的至少一種以上成分固溶于氧化鎂中而形成。

16.如權(quán)利要求14所述的陶瓷部件，其特征在于，所述氧化鋯中包含的所述穩(wěn)定劑包括氧化釔、氧化鈣、氧化鎂或氧化鈰。

17.如權(quán)利要求1所述的陶瓷部件，其特征在于，在所述氧化鎂固溶體中，Mg與AL的摩爾比為0.5以上。

18.一種半導(dǎo)體制造裝置用部件，其特征在于，所述半導(dǎo)體制造裝置用部件具有權(quán)利要求1-17中任一項(xiàng)所述的陶瓷部件。