[發明專利]介層窗層的介層窗圖案化掩膜分配的方法有效
| 申請號: | 201410108600.X | 申請日: | 2011-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN103956322B | 公開(公告)日: | 2017-01-04 |
| 發明(設計)人: | 林本堅;高蔡勝;劉如淦;黃文俊 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/31 | 分類號: | H01L21/31 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司11019 | 代理人: | 壽寧,張華輝 |
| 地址: | 中國臺灣新竹 市*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 介層窗層 介層窗 圖案 化掩膜 分配 方法 | ||
1.一種介層窗層的介層窗圖案化掩膜分配的方法,其特征在于其中該介層窗層的多個介層窗工藝上直接對準置放在個別的底下金屬結構之上,該方法使用一雙重介層窗掩膜圖案化技術,且該方法包括以下步驟:
產生該介層窗層的所述介層窗的多個介層窗掩膜分離規則違反標示,其中所述介層窗掩膜分離規則違反標示連接至少違反一介層窗掩膜分離規則的數個介層窗;
決定一介層窗是否觸及所述介層窗掩膜分離規則違反標示;
假如該介層窗并未觸及所述介層窗掩膜分離規則違反標示,分配該介層窗至二介層窗掩膜的其中一者,該者對準一底下金屬層的一金屬掩膜,且該介層窗置放于該金屬掩膜某金屬結構之上;
假如該介層窗觸及所述介層窗掩膜分離規則違反標示其中一者,進行一決定操作,以決定該介層窗是否為一末端介層窗;
假如該介層窗為該末端介層窗,分配一第一權重至該介層窗;
假如該介層窗并非為該末端介層窗,分配一第二權重至該介層窗;以及
進行一分配步驟,以分配觸及所述介層窗掩膜分離規則違反標示的每個介層窗至該二介層窗掩膜的其中一者,使得具有該第一權重的介層窗被給予較高的優先順序,以將具有該第一權重的介層窗分配至正確的介層窗掩膜上,該正確的介層窗掩膜乃對準其一金屬掩膜,而在此金屬掩膜上具有與該第一權重介層窗有觸及或連接的金屬結構。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于其中所述的末端介層窗置放在該底下金屬結構的一處之上的介層窗,且該底下金屬結構的該處具有小于一設定的寬度。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于其中所述的設定的寬度為90納米。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于其還包括:
在該分配步驟完成之后,將所有介層窗完成涂色,而完成掩膜分配。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于其中所述的第一權重大于該第二權重。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于其還包括:
分配所述介層窗的底下金屬結構的每一者至二金屬掩膜的其中一者,且其中所述底下金屬結構藉由雙重介層窗掩膜圖案化技術圖案化的一金屬層的一部分。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于其還包括:將每一所述金屬掩膜分別對齊所述介層窗掩膜的其中一者;以及
將二個金屬掩膜彼此對齊。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于其還包括:
限制觸及或連接相同的底下金屬結構或上方金屬結構的多個介層窗,使得所述介層窗具有等于或大于一距離的多個節距,其中該距離由一介層窗遮罩分離規則所規定,而具有小于該距離的節距且相鄰的其他多個介層窗分配至多個不同的介層窗遮罩。
9.根據權利要求8所述的方法,其特征在于其還包括:定義位于多個不同的底下金屬結構之上,或位于多個不同的上方金屬結構之下,多個介層窗之間的空間的一介層窗掩膜分離規則;以及定義所述不同的底下金屬結構或所述不同的上方金屬結構之間的空間的一金屬掩膜分離規則。
10.根據權利要求1所述的方法,其特征在于其中所述的介層窗掩膜分離規則違反標示為直線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





