[發明專利]一種一次性編程存儲器中金屬硅化物掩膜的制備方法

在審

• 申請號: 201410106573.2
• 申請日: 2014-03-20
• 公開（公告）號: CN103943570A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 張智侃;曹亞民;楊斌
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8246
• 分類號: H01L21/8246;H01L21/316
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

技術領域

本發明涉及微電子制造領域，尤其涉及一種一次性編程存儲器中金屬硅化物掩膜的制備方法。?

背景技術

現今使用的嵌入式存儲器工藝，在邏輯區域以及存儲區域，通常使用同一種金屬硅化物掩蔽膜。一次性編程存儲器時若用傳統的二氧化硅加氮化硅薄膜作為金屬硅化物掩蔽層，會導致浮柵中存儲電子躍遷到二氧化硅和氮化硅界面，影響OTP對于數據的保持能力。為增強OTP對于數據的保持能力，有必要選用新的材料來形成金屬硅化物掩蔽層。?

中國專利（CN101989644A）公開了一種提高電阻隨機存儲器數據保持能力的方法,屬于半導體存儲器技術領域。該方法通過在所述電阻隨機存儲器的電極和金屬氧化物存儲介質層之間插入介質薄膜層,使電阻隨機存儲器的數據保持能力大大提高。?

中國專利（CN102969278A）公開了一種提高數據保持能力的浮體動態隨機存儲器單元制造方法，包括如下步驟：提供第一硅片，在第一硅片上制備氧埋層；在第一硅片上鍵合第二硅片，制備絕緣體上硅硅片；在制備絕緣體上硅器件之前，對絕緣體上硅硅片進行預處理，將氮離子注入到絕緣體上硅硅片的氧埋層，通過退火工藝，激活注入的氮離子，在氧埋層和襯底界面之間形成懸掛鍵；在經過處理的絕緣?體上硅硅片上制備PMOS結構的浮體效應存儲器單元。由上述技術方案的實施，提供了一種提高數據保持能力的浮體動態隨機存儲器單元的制造方法，以增加氧埋層與襯底之間的界面懸掛鍵，從而有效的俘獲電子，提高PMOS結構的浮體效應存儲器單元的數據保持性能。?

上述兩種專利均不能提高OTP浮柵的數據保持能力。?

發明內容

為達到上述目的，具體技術方案如下：?

一種一次性編程存儲器中金屬硅化物掩膜的制備方法，所述方法包括以下步驟：?

提供一含有OTP浮柵的襯底；?

在所述襯底上生長第一硅化物，在所述第一硅化物上生長第二硅化物；?

去除覆蓋所述OTP浮柵的第二硅化物以及部分第一硅化物，以使所述OTP浮柵暴露；?

去除殘留的第一硅化物；?

去除雜質，并生長富硅氧化硅，以覆蓋暴露的OTP浮柵。?

優選的，所述第一硅化物為二氧化硅，所述第二硅化物為氮化硅；?

其中，所述第一硅化物的厚度為所述第二硅化物的厚度為

優選的，通過光刻以及干法刻蝕去除第二硅化物以及部分第一硅化物；?

其中，在光刻過程中，首先制備光刻膠覆蓋所述第二硅化物，通?過曝光顯影在所述光刻膠中打開位于所述OTP浮柵處的部分，形成開口，并以該開口為掩膜對所述第二硅化物和部分第一硅化物進行干法刻蝕。?

優選的，通過濕法刻蝕去除所述殘留的第一硅化物。?

優選的，采用BOE溶液作為所述濕法刻蝕中的刻蝕液。?

優選的，在所述濕法刻蝕中，把過刻蝕的刻蝕量控制在100%。?

優選的，所述雜質包括所述光刻膠。?

本發明選用了富硅氧化硅作為金屬硅化物掩蔽膜，代替原有的二氧化硅加氮化硅組合。在浮柵上形成局部的富硅氧化硅金屬硅化物掩蔽膜，其他區域保持原有的二氧化硅加氮化硅金屬硅化物掩蔽膜，這樣既不影響原有工藝以及其他器件，又能將浮柵上的金屬硅化物膜改變為富硅氧化硅金屬硅化物掩蔽膜，從而提高OTP浮柵的數據保持能力。?

附圖說明

構成本發明的一部分的附圖用來提供對本發明的進一步理解，本發明的示意性實例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：?

圖1是現有技術中一次性編程存儲器中金屬硅化物掩膜的結構示意圖；?

圖2～圖6是本發明方法一實施例中進行不同工藝步驟后的結構示意圖。?

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步說明，顯然，所描述的實例僅僅是本發明一部分實例，而不是全部的實例。基于本發明匯總的實例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有實例，都屬于本發明保護的范圍。?

需要說明的是，在不沖突的情況下，本發明中的實例及實例中的特征可以相互自由組合。?

本發明是一種一次性編程存儲器中金屬硅化物掩膜的制備方法，包括以下步驟：?

提供一含有OTP浮柵的襯底；?

在所述襯底上生長第一硅化物，在所述第一硅化物上生長第二硅化物；?

去除覆蓋所述OTP浮柵的第二硅化物以及部分第一硅化物，以使所述OTP浮柵暴露；?

去除殘留的第一硅化物；?