[發(fā)明專利]一種一次性編程存儲(chǔ)器中金屬硅化物掩膜的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410106573.2
• 申請(qǐng)日: 2014-03-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103943570A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張智侃;曹亞民;楊斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8246
• 分類號(hào): H01L21/8246;H01L21/316
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種一次性編程存儲(chǔ)器中金屬硅化物掩膜的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供一含有OTP浮柵的襯底；

在所述襯底上生長(zhǎng)第一硅化物，在所述第一硅化物上生長(zhǎng)第二硅化物；

去除覆蓋所述OTP浮柵的第二硅化物以及部分第一硅化物，以使所述OTP浮柵暴露；

去除殘留的第一硅化物；

去除雜質(zhì)，并生長(zhǎng)富硅氧化硅，以覆蓋暴露的OTP浮柵。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硅化物為二氧化硅，所述第二硅化物為氮化硅；

其中，所述第一硅化物的厚度為所述第二硅化物的厚度為

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過(guò)光刻以及干法刻蝕去除第二硅化物以及部分第一硅化物；

其中，在光刻過(guò)程中，首先制備光刻膠覆蓋所述第二硅化物，通過(guò)曝光顯影在所述光刻膠中打開(kāi)位于所述OTP浮柵處的部分，形成開(kāi)口，并以該開(kāi)口為掩膜對(duì)所述第二硅化物和部分第一硅化物進(jìn)行干法刻蝕。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，通過(guò)濕法刻蝕去除所述殘留的第一硅化物。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，采用BOE溶液作為所述濕法刻蝕中的刻蝕液。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述濕法刻蝕中，將過(guò)刻蝕的刻蝕量控制在100%。

7.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述雜質(zhì)包括所述光刻膠。