[發(fā)明專利]對(duì)沒有重復(fù)分界的存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行掃描的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410106540.8
• 申請(qǐng)日: 2014-03-20
• 公開（公告）號(hào): CN103887198A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何理;許向輝;郭賢權(quán);陳超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 吳俊

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲(chǔ)區(qū)域掃描方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體芯片包含不同的功能區(qū)域來實(shí)現(xiàn)不同的運(yùn)算功能，如（LG，CELL，SRAM?and?DUMMY等）。LG主要實(shí)現(xiàn)邏輯運(yùn)算功能，CELL和SRAM主要實(shí)現(xiàn)運(yùn)算數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)功能，DUMMY主要讓機(jī)械研磨在芯片的不同區(qū)域有良好的研磨率避免晶圓各向異性。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步芯片的集成度不斷提高，單位尺寸里的器件也越來越多，結(jié)構(gòu)也越來越復(fù)雜，CELL和SRAM作為存儲(chǔ)單元是芯片制造中最關(guān)鍵的區(qū)域，其良率受缺陷的影響非常的大，業(yè)界為了實(shí)現(xiàn)CELL和SRAM區(qū)域的精確掃描都采用array?mode（相鄰單位存儲(chǔ)單元對(duì)比）的方式掃描，（array?mode方式是通過掃描設(shè)備自動(dòng)定義重復(fù)區(qū)域的最小重復(fù)單元（如圖1所示），讓相鄰的最小重復(fù)單元之間進(jìn)行對(duì)比來完成缺陷偵測(cè)的）。

在實(shí)際的生產(chǎn)中，如圖2所示有些產(chǎn)品存在沒有分界的SRAM區(qū)域，這種SRAM結(jié)構(gòu)是完全簡(jiǎn)單重復(fù)的，使用現(xiàn)有的機(jī)臺(tái)不能定義SRAM區(qū)域單位寬度的大小，進(jìn)而不能使用array?mode掃描方式對(duì)這些區(qū)域進(jìn)行精確的缺陷掃描，而只能采用相鄰die進(jìn)行對(duì)比來鑒別缺陷是否存在。這會(huì)嚴(yán)重的影響掃描的精度，影響SRAM區(qū)域的缺陷檢測(cè)。

中國專利（CN102856227A）公開了一種晶圓器件單元混合掃描方法。在一個(gè)器件單元集合中，通過不同裸片之間的比對(duì)，計(jì)算差值，從而確定缺陷位置。在所述器件單元集合中，在每一個(gè)裸片中，通過裸片中重復(fù)出現(xiàn)的器件單元之間的相互比對(duì)，計(jì)算差值，從而確定缺陷位置。根據(jù)采用D2D模式的掃描步驟中確定的缺陷位置以及采用C2C模式的掃描步驟中確定的缺陷位置，確定所述器件單元集合中的所有缺陷位置。當(dāng)采用D2D模式的掃描步驟和采用C2C模式的掃描步驟都確定所述器件單元集合的同一區(qū)域存在缺陷時(shí)，保留采用C2C模式的掃描步驟中確定的所有缺陷位置；并且對(duì)采用D2D模式的掃描步驟中確定的缺陷位置進(jìn)行分析，濾除小于單個(gè)器件單元面積的缺陷，而保留其它缺陷位置。

該專利通過器件單元混合掃描技術(shù)，在缺陷掃描過程中，同時(shí)運(yùn)用C2C與D2D的掃描方式，通過精確對(duì)比和計(jì)算，全面的對(duì)晶圓進(jìn)行掃描，既保留C2C模式下良好的掃描靈敏度也在加入D2D的掃描特點(diǎn)后避免了大面積缺陷缺失的問題。但并沒有解決無法對(duì)沒有分界的存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行缺陷掃描的問題。

中國專利（CN103346101A）公開了一種芯片缺陷的高精度檢測(cè)方法和掃描方法，涉及芯片缺陷的掃描方法，所述方法包括以下步驟：提供一制備有多個(gè)芯片的待測(cè)晶圓；在所述待測(cè)晶圓上選取位于同一直線上的若干芯片，采用第一入射光源對(duì)所述同一直線上的若干芯片進(jìn)行第一次掃描，得到第一缺陷檢測(cè)結(jié)果；采用第二入射光源對(duì)所述同一直線上的若干芯片進(jìn)行第二次掃描，得到第二缺陷檢測(cè)結(jié)果；對(duì)所述第一缺陷檢測(cè)結(jié)果和所述第二缺陷檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行整合，得到完整的缺陷檢測(cè)結(jié)果；其中，所述第一次掃描與所述第二次掃描的方向相反。

該專利本發(fā)明通過利用待測(cè)晶圓的芯片上的不同功能模塊對(duì)掃描入射光源的敏感程度的不同的特點(diǎn)，采用兩種入射光源對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行掃描，并且將該兩種入射光源整合到同一個(gè)掃描過程中，省略了兩種入射光源各自分開掃描而引起的重復(fù)進(jìn)行校正和定位的過程，從而大大縮短了晶圓缺陷掃描過程的周期，進(jìn)而提升了缺陷檢測(cè)的工作效率。但并沒有解決無法對(duì)沒有分界的存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行缺陷掃描的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為解決無法對(duì)沒有分界的存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行缺陷掃描的問題，從而提供對(duì)沒有重復(fù)分界的存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行掃描的方法的技術(shù)方案。

本發(fā)明所述對(duì)沒有重復(fù)分界的存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行掃描的方法，包括下述步驟：

步驟1.根據(jù)器件線寬獲得待掃描的存儲(chǔ)區(qū)域的單位存儲(chǔ)單元的寬度；

步驟2.根據(jù)所述單位存儲(chǔ)單元的寬度對(duì)所述存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行劃分；

步驟3.根據(jù)所述單位存儲(chǔ)單元的寬度采用相鄰單位存儲(chǔ)單元對(duì)比掃描方式對(duì)劃分后的所述存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行掃描，獲得所述存儲(chǔ)區(qū)域的缺陷。

優(yōu)選的，所述存儲(chǔ)區(qū)域?yàn)殪o態(tài)存儲(chǔ)區(qū)域。

優(yōu)選的，步驟1中獲得單位存儲(chǔ)單元的寬度的具體過程為：

根據(jù)公式(1)獲得所述寬度M：

M=L*K????????????????????(1)

其中，M為單位存儲(chǔ)單元的寬度；L為器件線寬；K為估算系數(shù)。

優(yōu)選的，所述器件線寬L范圍為：45nm～90nm。

優(yōu)選的，所述估算系數(shù)K范圍為：30～40。