[發明專利]對沒有重復分界的存儲區域進行掃描的方法有效
| 申請號： | 201410106540.8 | 申請日： | 2014-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN103887198A | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發明（設計）人： | 何理;許向輝;郭賢權;陳超 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 吳俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 沒有 重復 分界 存儲 區域 進行 掃描 方法 | ||
1.對沒有重復分界的存儲區域進行掃描的方法，其特征在于，包括下述步驟：
步驟1.根據器件線寬獲得待掃描的存儲區域的單位存儲單元的寬度；
步驟2.根據所述單位存儲單元的寬度對所述存儲區域進行劃分；
步驟3.根據所述單位存儲單元的寬度采用相鄰單位存儲單元對比掃描方式對劃分后的所述存儲區域進行掃描，獲得所述存儲區域的缺陷。
2.如權利要求1所述對沒有重復分界的存儲區域進行掃描的方法，其特征在于，所述存儲區域為靜態存儲區域。
3.如權利要求1所述對沒有重復分界的存儲區域進行掃描的方法，其特征在于，步驟1中獲得單位存儲單元的寬度的具體過程為：
根據公式(1)獲得所述寬度M：
M=L*K????????????????????(1)
其中，M為單位存儲單元的寬度；L為器件線寬；K為估算系數。
4.如權利要求3所述對沒有重復分界的存儲區域進行掃描的方法，其特征在于，所述器件線寬L范圍為：45nm～90nm。
5.如權利要求3所述對沒有重復分界的存儲區域進行掃描的方法，其特征在于，所述估算系數K范圍為：30～40。
6.如權利要求1所述對沒有重復分界的存儲區域進行掃描的方法，其特征在于，步驟3中采用相鄰單位存儲單元對比掃描方式對所述存儲區域進行掃描的具體過程為：
采用相鄰單位存儲單元對比掃描方式逐對掃描相鄰的兩個單位存儲單元。
7.如權利要求6所述對沒有重復分界的存儲區域進行掃描的方法，其特征在于，獲得所述存儲區域的缺陷的具體過程為：逐一判斷每對相鄰的兩個所述單位存儲單元的信噪比之差是否超出預設的信噪比，若是，則相鄰的兩個所述單位存儲單元存在缺陷；若否，則相鄰的兩個所述單位存儲單元沒有缺陷。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
