[發明專利]一種減少OPC修正后驗證誤報錯的方法

有效

• 申請號: 201410106502.2
• 申請日: 2014-03-20
• 公開（公告）號: CN103885282B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 何大權;張辰明;魏芳;張旭昇
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海申新律師事務所31272
• 代理人: 吳俊

技術領域

本發明涉及一種微電子光學臨近修正的技術領域，尤其涉及一種減少光學臨近修正(Optical Proximity Correction，簡稱：OPC)修正后驗證誤報錯的方法。

背景技術

在半導體制造過程中，隨著特征尺寸的不斷減小和圖形復雜程度變得越來越高，OPC技術也不斷發展以適應圖形成像過程中不斷出現的問題。目前應用最為廣泛的OPC方法是基于模型的OPC修正方法，其基本原理是通過建立基于特定光刻條件的曝光模型，對原始版圖或目標版圖進行模擬以得到模擬誤差，然后將原始版圖按一定的規則進行分段切割，根據模擬誤差對片斷進行偏移補償并重新模擬，經過幾個回合的模擬和修正和得到模擬結果與目標版圖一致的修正后版圖。

受到掩模板制作能力的限制以及OPC執行時間的局限，基于模型的OPC修正方法不可避免的存在一些OPC修正弱點或修正錯誤，如果這些修正弱點不能及時發現就可能導致硅片上的工藝缺陷點，因此OPC修正后的模擬檢查驗證就被引入到OPC出版流程中，OPC修正后模擬檢查驗證通過模擬OPC修正后版圖并檢查模擬結果以確認是否存在潛在的工藝弱點或工藝缺陷，這些模擬驗證一般檢查包括是否存在橋接和斷線，上下層的接觸面積是否在工藝許可范圍內，模擬圖形與目標圖形偏差是否在容許范圍內等等。

OPC修正后模擬檢查驗證一般可分為兩類，一是模擬OPC修正后版圖并檢查模擬輪廓的絕對尺寸，查看模擬結果是否存在小于規定尺寸或規格的圖形點，這種檢查方法能快速的探測到OPC修正是否會造成工藝弱點并且一般很少有錯誤誤報或多報，但是如果原始版圖或者目標版圖存在問題，或者軟件存在漏洞導致OPC修正錯誤時(比如圖形額外增加或消失)，有可能會導致一些錯誤漏報；第二類是比對模擬結果尺寸和目標版圖尺寸的相對比例，當模擬尺寸和目標尺寸的比例偏差超過限定值時即將該圖形點報錯用以檢查，這類方法能夠避免第一類方法涉及的很多漏報問題，但是受到一些光刻物理極限的影響等，經常存在一些錯誤誤報或者多報，當錯誤誤報過多時會影響檢查的效率。

在實際的模擬檢查驗證過程中通常會結合上述提及的兩種OPC修正后模擬驗證方法，一般對于第二類的檢查相對偏差方法，為了避免過多的誤報，引入了一些過濾方法以減少錯誤誤報。圖1為現有的OPC修正后模擬驗證的示意圖，請參見圖1所示。對于圖形A區域，OPC修正后模擬與目標圖形一致，但是圖形B區域處于拐角凹處，受到圓化效應的影響，其模擬尺寸比目標尺寸偏大，越靠近拐角處，偏離值越大，由于這些圓化效應是無法避免的，而且也不會影響器件的性能，一般可以忽略，所以在模擬驗證過程中形成排除區域，忽略這一區域的檢查；這一忽略檢查的范圍或區域一般設定一個離拐角的固定值，或者離線端的固定值等，如圖1所示L1，在離凹角L1長度范圍內的不作模擬驗證后檢查；圖形的拐角圓化問題與很多因素有關，在曝光條件與OPC修正方法確定的情況下，它與圖形尺寸，形狀和圖形密度等有關；當模擬出的拐角圓化離凹角的距離超過設定值L1時，也即R1>L1時。圖2為現有的OPC修正后模擬驗證誤報的示意圖，請參見圖2所示，由于超過排除區域的圖形將會做模擬驗證檢查，很容易形成報錯，因為它是由圖形拐角圓化引起的。如果增加L1的大小，將排除區域擴大，或許可以過濾一些誤報的圖形，但是如果在排除區域內OPC修正存在問題也將以其被忽略，存在一定的風險，因此在實際應用中不會因為誤報的存在去直接增加L1的值。

公開號為CN103513506A的中國專利公開了一種光學臨近效應修正方法，包括以下步驟：1)制作兩塊測試光刻版，第一塊放置前層圖形，所述前層圖形為產生形貌或膜層變化的圖形；第二塊放置后層OPC測試圖形；2)按照工藝順序準備硅片，在沒有形貌的硅片上，對第二塊光刻版進行涂膠、曝光、顯影，收集光刻工藝的關鍵尺寸的數值，根據收集到的光刻工藝數值建立OPC模型；3)按照工藝順序準備硅片，在沒有形貌的硅片上，對第一塊光刻版進行涂膠、曝光、顯影，產生前層圖形的形貌；4)再對第二塊光刻版進行涂膠、曝光、顯影，收集光刻工藝的關鍵尺寸的數值，并根據收集到的光刻工藝關鍵尺寸的數值，建立選擇性偏離算法，表征在不同的區域需要增加的偏離值；5)在沒有形貌的區域使用步驟2)建立的OPC；在有形貌的區域，根據步驟4)計算得到的偏離值重新進行OPC修正。