[發(fā)明專利]一種減少OPC修正后驗證誤報錯的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410106502.2 | 申請日: | 2014-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN103885282B | 公開(公告)日: | 2017-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 何大權(quán);張辰明;魏芳;張旭昇 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所31272 | 代理人: | 吳俊 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 減少 opc 修正 驗證 誤報錯 方法 | ||
1.一種減少OPC修正后驗證誤報錯的方法,其特征在于,
步驟一:完成OPC修正,在OPC修正完成后產(chǎn)生OPC修正后圖形以及OPC修正前的目標圖形;
步驟二:在OPC修正完成后選出導(dǎo)致OPC驗證錯誤誤報的凹角圖形區(qū)域;
步驟三:截取所述目標圖形中錯誤誤報的凹角圖形區(qū)域圖中符合條件的凹角圖形邊片;
步驟四:以所述凹角圖形邊片為邊,所述凹角的頂點為起始點,沿著圖形內(nèi)部方向形成獨立的OPC矩形驗證區(qū)域;
步驟五:對形成獨立的所述OPC矩形驗證區(qū)域以外的區(qū)域進行驗證,通過模擬尺寸和目標尺寸的相對比例進行檢查,以及
對形成獨立的所述OPC矩形驗證區(qū)域進行驗證,該區(qū)域模擬尺寸與目標尺寸的相對比例不小于規(guī)格規(guī)定正常范圍內(nèi)的最小百分比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述減少OPC修正后驗證誤報錯的方法,其特征在于,導(dǎo)致OPC驗證錯誤誤報的圖形邊長度大于兩倍最小設(shè)計規(guī)則線寬,所述導(dǎo)致OPC驗證錯誤誤報的凹角圖形邊的兩條鄰邊中至少一鄰邊與所述導(dǎo)致OPC驗證錯誤誤報的凹角圖形邊成270度,并且兩條鄰邊的長度均大于最小設(shè)計規(guī)則線寬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述減少OPC修正后驗證誤報錯的方法,其特征在于,所述矩形驗證區(qū)域的長度為設(shè)計規(guī)則規(guī)定的最小線寬尺寸的1.25倍,所述矩形的寬不小于所述目標圖形的寬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述減少OPC修正后驗證誤報錯的方法,其特征在于,在步驟五中,當模擬尺寸介于目標尺寸95%至105%之間,正常;反之,修正可能存在問題。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述減少OPC修正后驗證誤報錯的方法,其特征在于,在步驟五中,當模擬尺寸大于形成獨立OPC驗證區(qū)域目標尺寸的95%,正常;反之,修正可能存在問題。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





