[發明專利]封裝件上芯片結構和方法

有效

• 申請號: 201410106015.6
• 申請日: 2014-03-20
• 公開（公告）號: CN104600064B
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 余振華;葉德強;余國寵;洪瑞斌
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/98
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導體器件，包括：

第一半導體器件，具有硅通孔；

第二半導體器件，不具有硅通孔；

再分布層，與所述第一半導體器件、所述第二半導體器件、和導電通孔電連接，其中，所述導電通孔分別位于所述第一半導體器件和所述第二半導體器件的相對側；

第三半導體器件，位于所述第一半導體器件上方，所述第三半導體器件包括連接至所述硅通孔的電連接件；以及

封裝件，連接至所述導電通孔，其中，所述第三半導體器件位于所述第一半導體器件和所述封裝件之間。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第三半導體器件是第一存儲器件。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述封裝件進一步包括帶寬小于所述第一存儲器件的帶寬的第二存儲器件。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第三半導體器件進一步包括多個存儲器管芯。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：第四半導體器件，連接至所述第二半導體器件，并且位于所述第二半導體器件和所述封裝件之間。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一半導體器件包括存儲控制器。

7.一種用于封裝半導體器件的方法，所述方法包括：

在載體晶圓的表面上方形成導電通孔；

在所述載體晶圓上方附接第一管芯，所述第一管芯包括多個硅通孔；

在所述載體晶圓上方附接第二管芯，所述導電通孔分別放置在所述第一管芯和所述第二管芯的相對側；

密封所述第一管芯、所述第二管芯、和所述導電通孔，以形成第一封裝件；

去除所述載體晶圓；

將第三管芯連接至所述第一封裝件的第一面，其中，所述第三管芯電連接至所述多個硅通孔；以及

將第二封裝件連接至所述第一封裝件的第一面，其中，所述第三管芯位于所述第一管芯和所述第二封裝件之間。

8.根據權利要求7所述的用于封裝半導體器件的方法，進一步包括：將第四管芯連接至所述第一封裝件的所述第一面，其中，所述第四管芯電連接至所述第二管芯。

9.根據權利要求7所述的用于封裝半導體器件的方法，其中，連接所述第三管芯進一步包括：將管芯的疊層連接至所述第一封裝件的第一面。

10.根據權利要求9所述的用于封裝半導體器件的方法，進一步包括：將第四管芯連接至所述第一封裝件的第一面，其中，所述第四管芯電連接至所述第二管芯。

11.根據權利要求7所述的用于封裝半導體器件的方法，其中，所述第三管芯是第一存儲器件。

12.根據權利要求11所述的用于封裝半導體器件的方法，其中，所述第二封裝件包括第二存儲器件，并且所述第二存儲器件具有比所述第一存儲器件更小的帶寬。

13.根據權利要求11所述的用于封裝半導體器件的方法，其中，所述第一存儲器件是寬幅I/O存儲器件。

14.根據權利要求7所述的用于封裝半導體器件的方法，其中，所述第二管芯是數字管芯，并且所述第一管芯包括模擬部分。