[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201410103838.3
• 申請日: 2014-03-20
• 公開（公告）號: CN104078425B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 中村勝
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/268;H01L21/67;B23K26/0622;B23K26/03;B23K26/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;蔡麗娜

提供晶片的加工方法，能將晶片分割成一個個器件而不在晶片背面附近切斷面產生凹凸。一種將晶片沿分割預定線分割成一個個器件的加工方法，在晶片正面呈格子狀形成有多個分割預定線，在由分割預定線劃分出的多個區域形成有器件，該方法包括：改性層形成工序，從晶片背面側沿分割預定線照射對晶片具有透射性的波長的激光光線，沿分割預定線在晶片內部形成改性層；以及分割工序，對晶片施加外力，將晶片沿形成了改性層的分割預定線分割成一個個器件，改性層形成工序包括：第1改性層形成工序，將激光光線聚光點定位在晶片背面附近，在晶片背面附近形成第1改性層；以及第2改性層形成工序，將激光光線聚光點定位在晶片的遠離第1改性層的正面側，之后，在使聚光點依次移動至到達第1改性層的區域的同時，層疊形成多個第2改性層。

技術領域

本發明涉及將晶片沿分割預定線分割成一個個器件的晶片的加工方法，該晶片在正面呈格子狀地形成有多個分割預定線，并且在由多個分割預定線劃分出的多個區域形成有器件。

背景技術

在半導體器件制造過程中，在大致圓板形狀的半導體晶片的正面利用呈格子狀排列的分割預定線劃分出多個區域，在該劃分出的區域形成IC（集成電路）、LSI（大規模集成電路）等器件。并且，通過將半導體晶片沿分割預定線切斷來對形成有器件的區域進行分割，從而制造出一個個器件。

此外，在光器件制造過程中，在藍寶石基板或碳化硅基板的正面層疊由n型氮化物半導體層和p型氮化物半導體層構成的光器件層，在利用呈格子狀形成的多個分割預定線劃分出的多個區域形成發光二極管、激光二極管等光器件，從而構成光器件晶片。并且，通過將光器件晶片沿分割預定線切斷來對形成有光器件的區域進行分割，從而制造出一個個光器件。

作為分割上述的半導體晶片和光器件晶片等晶片的方法，下述的激光加工方法被實用化：使用對晶片具有透射性的波長的脈沖激光光線，將聚光點定位在應分割的區域的內部，照射脈沖激光光線。使用了該激光加工方法的分割方法是這樣的技術：從晶片的一個面側將聚光點定位在內部并照射對晶片具有透射性的波長的脈沖激光光線，從而在被加工物的內部沿分割預定線連續地形成改性層，沿著由于形成該改性層而強度降低了的分割預定線施加外力，由此分割晶片（例如，參照專利文獻1）。

在下述專利文獻1記載的技術中，由于需要將激光光線的聚光點定位在晶片的內部，所以在形成有器件的正面粘貼保護帶，將保護帶側保持在激光光線的卡盤工作臺上，并從晶片的背面側照射激光光線。

并且，在層疊形成多個改性層的情況下，首先將激光光線的聚光點定位在正面附近進行照射，之后，在使聚光點依次向背面側移動的同時，層疊改性層（例如，參照專利文獻2）。

之所以像這樣在使聚光點從晶片的正面側依次向背面側移動的同時，層疊形成改性層，是考慮到：當首先在背面附近形成了改性層時，使激光光線的聚光點接近正面側時，已經形成的改性層會妨礙激光光線的照射。

現有技術文獻

專利文獻1：日本專利第3408805號公報

專利文獻2：日本特開2009-140947號公報

而且，在晶片的內部形成了改性層時，會在入射激光光線的背面側產生裂紋，因此，若首先將激光光線的聚光點定位在正面附近進行照射，之后，在使聚光點依次向背面側移動的同時形成改性層的話，則存在這樣的問題：裂紋會在背面側等方向地生長而在背面附近的切斷面形成凹凸，使器件的抗彎強度降低，并且粉塵飛散而污染焊盤（結合區），使器件的品質降低。

發明內容

本發明正是鑒于上述情況而完成的，其主要的技術的課題在于提供一種晶片的加工方法，能夠將晶片分割成一個個器件而不會在晶片的背面附近的切斷面產生凹凸。

為了解決上述主要的技術課題，根據本發明，提供一種晶片的加工方法，是將晶片沿分割預定線分割成一個個器件的方法，所述晶片在正面呈格子狀地形成有多個分割預定線，并且在由多個分割預定線劃分出的多個區域形成有器件，