[發(fā)明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410103838.3
• 申請日: 2014-03-20
• 公開（公告）號: CN104078425B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發(fā)明（設計）人: 中村勝
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/268;H01L21/67;B23K26/0622;B23K26/03;B23K26/00
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;蔡麗娜

1.一種晶片的加工方法，是將晶片沿分割預定線分割成一個個器件的方法，所述晶片在正面呈格子狀地形成有多個分割預定線，并且在由多個分割預定線劃分出的多個區(qū)域形成有器件，

所述晶片的加工方法的特征在于，具備：

改性層形成工序，從晶片的背面?zhèn)妊胤指铑A定線照射對晶片具有透射性的波長的激光光線，沿分割預定線在晶片的內(nèi)部形成連續(xù)的改性層；以及

分割工序，對實施了該改性層形成工序的晶片施加外力，由此將晶片沿形成了改性層的分割預定線分割成一個個器件，

該改性層形成工序包括：

第1改性層形成工序，將激光光線的聚光點定位在晶片的背面附近進行照射，由此在晶片的背面附近形成連續(xù)的第1改性層；以及

第2改性層形成工序，將激光光線的聚光點定位在實施了該第1改性層形成工序的晶片的遠離該第1改性層的正面?zhèn)冗M行照射，之后，在使聚光點依次移動至到達該第1改性層的區(qū)域的同時，層疊形成多個連續(xù)的第2改性層，

在實施了該第2改性層形成工序之后，實施第3改性層形成工序，在所述第3改性層形成工序中，將激光光線的聚光點定位在比該第2改性層靠晶片的正面?zhèn)鹊奈恢眠M行照射，由此在晶片的正面附近形成連續(xù)的第3改性層。