[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法

有效

• 申請號: 201410100514.4
• 申請日: 2014-03-18
• 公開（公告）號: CN104064495B
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發明（設計）人: 林航之介;古矢正明;大田垣崇;長嶋裕次;木名瀬淳;安部正泰
• 申請（專利權）人: 芝浦機械電子裝置股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及基板處理裝置和基板處理方法。

背景技術

基板處理裝置是在半導體等的制造工序中，向晶片或液晶基板等基板的表面供給處理液，對該基板表面進行處理，之后向基板表面供給超純水等清洗液對該基板表面進行清洗，進而將其干燥的裝置。在該干燥工序中，由于近年來的伴隨半導體的高集成化、高容量化的微細化，發生例如存儲器單元、柵極周圍的圖案倒塌的問題。這是由圖案彼此的間隔、構造、清洗液的表面張力等引起的。

于是，以抑制上述圖案倒塌為目的，提出了使用表面張力比超純水還小的IPA（2－丙醇：異丙醇）的基板干燥方法（例如參照專利文獻1），在量產工場等中使用將基板表面上的超純水置換為IPA以進行基板干燥的方法。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2008－34779號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

但是，半導體的微細化不斷發展，即使使用IPA這樣的表面張力小的有機溶劑等液體進行干燥，晶片的微細圖案也會由于該液體的表面張力等而倒塌。

例如，在液體不斷干燥的過程中，在基板W表面的各部的干燥速度產生不均勻，如圖7（B）所示，當液體A1殘留于一部分的圖案P之間時，圖案由于該部分的液體A1的表面張力而倒塌。特別是，殘留有液體的部分的圖案彼此由于液體的表面張力引起的靠近而發生彈性 變形的倒塌，溶解在該液體中的微少的殘渣凝聚，之后當液體完全干燥時，倒塌的圖案彼此由于殘渣的存在等而彼此固接。

此外，隨著晶片、液晶基板等基板的大型化，清洗基板表面進而將其干燥的一系列的操作時間有變長的傾向，需要提高其生產率。

本發明的技術問題在于在基板的干燥時使表面上的液體瞬時干燥并且提高基板的生產率。

用于解決技術問題的技術方案

本發明的基板處理裝置包括：向基板的表面供給清洗液的清洗液供給部；向被供給有清洗液的基板的表面供給揮發性溶劑，將基板的表面的清洗液置換為揮發性溶劑的溶劑供給部；對被供給有揮發性溶劑的基板進行加熱的加熱機構；和將通過加熱機構的加熱作用在基板的表面生成的揮發性溶劑的液珠除去，對干燥基板的表面進行干燥的干燥機構，其中，上述加熱機構和上述干燥機構設置在從上述溶劑供給部輸出的基板的輸送路徑上。

本發明的基板處理方法包括：向基板的表面供給清洗液的工序；向被供給有清洗液的基板的表面供給揮發性溶劑，將基板的表面的清洗液置換為揮發性溶劑的工序；對被供給有揮發性溶劑的基板進行加熱的工序；和將通過基板的加熱在基板的表面生成的揮發性溶劑的液珠除去，對基板的表面進行干燥的工序，其中，在供給上述揮發性溶劑之后的基板的輸送過程中進行上述進行加熱的工序和上述進行干燥的工序。

發明效果

根據本發明的基板處理裝置和基板處理方法，在基板的干燥時能夠使表面上的液體瞬時干燥并且提高基板的生產率。

附圖說明

圖1是表示實施例1的基板處理裝置的示意圖。

圖2是表示基板處理裝置的基板清洗室的結構的示意圖。

圖3是表示基板處理裝置的基板干燥室的結構的示意圖。

圖4是表示基板處理裝置的基板干燥室的變形例的示意圖。

圖5是表示實施例2的基板處理裝置的示意圖。

圖6是表示基板處理裝置的變形例的示意圖。

圖7是表示基板表面的揮發性溶劑的干燥狀況的示意圖。

附圖標記說明

10、100基板處理裝置

47、114清洗液供給部

48、115溶劑供給部

62、112輸送輥

64、117加熱機構

65、118吸引干燥機構（干燥機構）

67、119吹飛干燥機構（干燥機構）

W基板

具體實施方式

（實施例1）（圖1～圖4）

如圖1所示，實施例1的基板處理裝置10設置有基板供排部20、基板保管用緩沖部30、多個基板清洗室40和在基板保管用緩沖部30所具有的后述的外部專用緩沖部32中設置的基板干燥室60，在基板供排部20與基板保管用緩沖部30之間設置有輸送機械手11，在基板保管用緩沖部30與基板清洗室40之間設置有輸送機械手12。