[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410100239.6
• 申請日: 2014-03-18
• 公開（公告）號: CN104167423B
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳在煥;樸世勳;李源規(guī);張榮真;陳圣鉉;崔宰凡
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;楊莘

有機發(fā)光顯示裝置包括襯底。緩沖層形成于所述襯底上。薄膜晶體管被設(shè)置在所述緩沖層上。所述薄膜晶體管包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、第一絕緣層和第二絕緣層。不均勻圖案通過圖案化所述緩沖層形成。第一像素電極被設(shè)置在形成于所述第二絕緣層中的開口中。所述第一像素電極包括透明導(dǎo)電氧化物。第二像素電極被設(shè)置在所述第一像素電極上。所述第二像素電極包括半透射層。有機發(fā)光層形成于所述第二像素電極上。相對電極形成于所述有機發(fā)光層上。

相關(guān)專利申請的交叉引用

本申請要求于2013年5月16日向韓國專利局提交的第10-2013-0056036號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示裝置，更具體地涉及有機發(fā)光顯示裝置和制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。

背景技術(shù)

有機發(fā)光顯示裝置因其低壓操作、輕、薄、寬視角、優(yōu)良對比度和快速響應(yīng)而作為下一代顯示裝置受到關(guān)注。

然而，由于有機發(fā)光顯示裝置可具有寬發(fā)光波長，因此發(fā)光效率和色純度可能降低。而且，由于從有機發(fā)光層發(fā)出的光常常缺乏具體方向性，沿任意方向發(fā)出的許多光子被有機發(fā)光裝置內(nèi)部反射，因此無法到達實際的觀察者，由此降低了有機發(fā)光裝置的光提取效率。為了增加光提取效率，可在有機發(fā)光顯示裝置中提供分布布拉格反射（DBR）鏡或者可使用用于調(diào)整有機層厚度的共振結(jié)構(gòu)。然而，盡管共振結(jié)構(gòu)增加了光提取效率，但是導(dǎo)致依賴于視角的色偏。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，其可通過使用具有不均勻部分的共振結(jié)構(gòu)降低依賴于視角的色偏。本發(fā)明還提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，有機發(fā)光顯示裝置包括襯底。緩沖層形成于所述襯底上。薄膜晶體管被設(shè)置在所述緩沖層上。所述薄膜晶體管包括有源層、柵電極、源電極和漏電極。第一絕緣層被設(shè)置在所述有源層與所述柵電極之間。第二絕緣層被設(shè)置在所述柵電極與所述源電極之間和所述柵電極與所述漏電極之間。包括不均勻圖案的不均勻圖案單元通過圖案化所述緩沖層形成。第一像素電極被設(shè)置在形成于所述第二絕緣層中的開口中。所述第一像素電極包括透明導(dǎo)電氧化物。第二像素電極被設(shè)置在所述第一像素電極上。所述第二像素電極包括半透射層。有機發(fā)光層形成于所述第二像素電極上。相對電極形成于所述有機發(fā)光層上。

所述不均勻圖案單元還可包括通過對所述第一絕緣層圖案化而形成的不均勻圖案。

所述不均勻圖案單元還可包括通過對所述有源層圖案化而形成的不均勻圖案。

所述不均勻圖案單元的不均勻圖案可共享刻蝕表面。

所述透明導(dǎo)電氧化物可包括氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）、氧化銦（In₂O₃）、氧化鎵銦（IGO）、或氧化鋅鋁（AZO）。

所述半透射層可包括銀（Ag）、鋁（Al）或它們的合金。

所述相對電極可以是反射電極。

所述柵電極可包括第一層和第二層，第一層包括透明導(dǎo)電氧化物第二層包括金屬。

所述有機發(fā)光顯示裝置還可包括電容器的第一電極和所述電容器的第二電極，其中所述電容器的所述第一電極形成于與所述有源層相同的層，所述電容器的所述第二電極包括分別由與所述第一像素電極和所述第二像素電極相同的材料形成的兩個層。

所述電容器的所述第二電極可被設(shè)置在形成于所述第二絕緣層中的開口中。

所述第一絕緣層可被設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間。

所述第一電極可包括離子雜質(zhì)。