[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410100239.6
• 申請日: 2014-03-18
• 公開（公告）號: CN104167423B
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳在煥;樸世勳;李源規(guī);張榮真;陳圣鉉;崔宰凡
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 余朦;楊莘

1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：

襯底；

緩沖層，被設(shè)置在所述襯底上；

薄膜晶體管，被設(shè)置在所述緩沖層上，其中所述薄膜晶體管包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、設(shè)置在所述有源層與所述柵電極之間的第一絕緣層、以及第二絕緣層，所述第二絕緣層被設(shè)置在所述柵電極與所述源電極之間和所述柵電極與所述漏電極之間；

不均勻圖案單元，包括通過對所述緩沖層圖案化而形成的多個(gè)不均勻圖案；

第一像素電極，被設(shè)置在形成于所述第二絕緣層中的開口中，所述第一像素電極包括透明導(dǎo)電氧化物，并且所述多個(gè)不均勻圖案設(shè)置在形成于所述第二絕緣層中的所述開口中，在所述開口中所述第二絕緣層被完全去除；

第二像素電極，被設(shè)置在所述第一像素電極上，所述第二像素電極包括半透射層；

有機(jī)發(fā)光層，形成于所述第二像素電極上；以及

相對電極，形成于所述有機(jī)發(fā)光層上并且被設(shè)置為與所述第二像素電極相反。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述不均勻圖案單元還包括通過對所述第一絕緣層圖案化而形成的不均勻圖案。

3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述不均勻圖案單元的不均勻圖案共享公共刻蝕表面。

4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述不均勻圖案單元還包括通過對所述有源層圖案化而形成的不均勻圖案。

5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述不均勻圖案單元的不均勻圖案共享相同的刻蝕表面。

6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述透明導(dǎo)電氧化物包括氧化銦錫ITO、氧化銦鋅IZO、氧化鋅ZnO、氧化銦In₂O₃、氧化鎵銦IGO、或氧化鋅鋁AZO。

7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述半透射層包括銀Ag、鋁Al或它們的合金。

8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述相對電極為反射電極。

9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述柵電極包括：

第一層，包括透明導(dǎo)電氧化物；以及

第二層，包括金屬。

10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，還包括：

電容器的第一電極，形成于與所述有源層相同的層；以及

所述電容器的第二電極，包括分別由與所述第一像素電極和所述第二像素電極相同的材料形成的兩個(gè)層。

11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述電容器的所述第二電極被設(shè)置在形成于所述第二絕緣層中的開口中。

12.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一絕緣層被設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間。

13.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一電極包括離子雜質(zhì)。

14.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，還包括像素限定層，在所述像素限定層中開口被形成于所述第二絕緣層上且沿所述薄膜晶體管的橫向方向與所述薄膜晶體管間隔開。

15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一像素電極和所述第二像素電極被設(shè)置在形成于所述像素限定層中的所述開口中。

16.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，形成于所述第二絕緣層中的所述開口比所述不均勻單元的在所述緩沖層中形成的開口大。