[發(fā)明專利]比特失效檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410098678.8 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103839589B | 公開(公告)日: | 2017-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 錢亮;孔蔚然;賈敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C29/08 | 分類號(hào): | G11C29/08 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 比特 失效 檢測(cè) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種比特(bit)失效檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
閃存(Flash?Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性存儲(chǔ)器,在斷電情況下依然能夠保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)的變種,與EEPROM不同的是,閃存能夠在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫,而不是整個(gè)芯片的擦寫,從而使得閃存比EEPROM的更新速度更快。
在目前的閃存中,通常有著較大的容量,也就是具有相應(yīng)數(shù)量的比特,在如此大量的比特中,其質(zhì)量的優(yōu)劣符合正態(tài)分布,因此,如何保證位于3σ之外的比特(tail?bit,尾比特)的優(yōu)劣,將直接制約著閃存的性能。
現(xiàn)有技術(shù)中常用方法為引入一邊界系數(shù)margin1(M1),用于在讀取“1”時(shí)檢測(cè)電流的大小,所述M1的取值小于1,包括:40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%及75%。通常狀況,認(rèn)為電流小于飽和電流是有風(fēng)險(xiǎn)的,大于飽和電流是足夠安全的。因此測(cè)試篩選的目標(biāo)定為將電流小的尾比特篩選出來。
但是,這種方法并不能夠完全有效,例如若一個(gè)比特是弱擦除比特(weak?erase?tail?bit),并且具有寫入干擾現(xiàn)象(program?punch?through),這個(gè)比特的起始電流將比較大,即使經(jīng)過寫入干擾模式的測(cè)試后,電流還是很大,則這個(gè)比特是不能夠被篩選出來。如圖1所示,按照現(xiàn)有方法1對(duì)比特A進(jìn)行檢測(cè),其起始電流是37μA,干擾模式的測(cè)試后后獲得的檢測(cè)電流是25μA,而按照判斷標(biāo)準(zhǔn),大于18μA(飽和電流)即為合格,因此會(huì)認(rèn)為該比特A是正常的。但是若從客戶端2進(jìn)行耐久性測(cè)試(endurance?cycle),由于經(jīng)過耐久性測(cè)試,該比特的起始電流降為22μA,正常寫入干擾模式就可以將該比特的電流降到10μA,從而出現(xiàn)失效,也就是說實(shí)際上該比特是異常的,應(yīng)當(dāng)在測(cè)試階段被篩選出。因此,如何克服這一現(xiàn)象,將有效的提升產(chǎn)品的性能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,提供一種比特失效檢測(cè)方法,以提高對(duì)異常比特的檢測(cè)效果,從而提高產(chǎn)品性能。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種比特失效檢測(cè)方法,所述比特為弱擦除比特,且具有寫入干擾現(xiàn)象,包括:
提供一參考電流及一邊界系數(shù),將待測(cè)比特的電流跟參考電流與邊界系數(shù)的乘積作比較,若所述待測(cè)比特的電流大于參考電流與邊界系數(shù)的乘積,則所述比特判定為失效;其中,所述邊界系數(shù)大于等于1。
可選的,對(duì)于所述的比特失效檢測(cè)方法,所述邊界系數(shù)為100%~120%。
可選的,對(duì)于所述的比特失效檢測(cè)方法,所述參考電流通過結(jié)合閃存中處于正態(tài)分布區(qū)間為(-3σ,3σ)的比特的電流而得。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的比特失效檢測(cè)方法中,使得所述邊界系數(shù)大于等于1,從而結(jié)合參考電流,作為了比較的標(biāo)準(zhǔn),若所述待測(cè)比特的電流大于參考電流與邊界系數(shù)的乘積,則所述比特判定為失效。與現(xiàn)有技術(shù)相比,改變了邊界系數(shù)的取值方向和比較內(nèi)容,克服了現(xiàn)有技術(shù)在檢測(cè)上的缺陷,在針對(duì)一些具有特殊性的比特時(shí),能夠有效的篩選出,從而提高了檢測(cè)效果。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中比特失效檢測(cè)方法的流程圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施例中比特失效檢測(cè)方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的比特失效檢測(cè)方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述,其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明,而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此,下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道,而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
為了清楚,不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中,不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu),因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中,必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo),例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制,由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外,應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的,但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司,未經(jīng)上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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