[發(fā)明專利]LDO電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410098539.5 | 申請日: | 2014-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN103838290A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐光磊 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | ldo 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及線性穩(wěn)壓器技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種LDO電路。
背景技術(shù)
低壓差線性穩(wěn)壓器(low?dropout?regulator,簡稱LDO)能夠產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓為芯片提供電源,目前廣泛應(yīng)用于系統(tǒng)級芯片(System-on-a-Chip,簡稱SoC)中。低壓差線性穩(wěn)壓器根據(jù)其是否需要旁路電容可以分為普通型LDO電路和無電容型LDO電路(capacitorless?LDO),普通型LDO電路一般需要一個(gè)或兩個(gè)旁路電容,而無電容型LDO電路一般不需要旁路電容。傳統(tǒng)的capacitorless?LDO電路一般由差分放大器、功率MOS管和電阻等部分組成,差分放大器、功率MOS管和電阻組成的反饋回路用來保持輸出電壓的穩(wěn)定。通常的,傳統(tǒng)的LDO電路還包括用于實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償效果的補(bǔ)償電阻和密勒電容以保證LDO電路的穩(wěn)定性。
請參考圖1,其為現(xiàn)有技術(shù)的capacitorless?LDO電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,現(xiàn)有的capacitorless?LDO電路100包括差分放大器A1、功率輸出PMOS晶體管mp10、補(bǔ)償電阻Rm1、密勒電容Cc1、反饋電阻R11和R12,其中,功率輸出PMOS晶體管mp10的源極與電源電壓VDD連接,反饋電阻R11和R12串聯(lián)在功率輸出PMOS晶體管mp10的漏極與地之間,差分放大器A1的反向輸入端連接一參考電壓Vref,差分放大器A1的正向輸入端連接于所述反饋電阻R11和R12之間,差分放大器A1的輸出端與功率輸出PMOS晶體管mp10的柵極連接,功率輸出PMOS晶體管mp10的漏極與反饋電阻R11連接,功率輸出PMOS晶體管mp10的漏極與反饋電阻R11之間形成第二節(jié)點(diǎn)N2,補(bǔ)償電阻Rm1和密勒電容Cc1相互串聯(lián)并位于所述第二節(jié)點(diǎn)N2與差分放大器A1的輸出端之間,所述第二節(jié)點(diǎn)N2與所述capacitorless?LDO電路100的輸出端連接,所述capacitorless?LDO電路100的輸出端通常與一負(fù)載電容CL1連接,所述負(fù)載電容CL1的電容量可以為0。
所述capacitorless?LDO電路100的工作原理如下:capacitorless?LDO電路100根據(jù)輸入的參考電壓Vref產(chǎn)生輸出電壓VOUT,輸出電壓VOUT經(jīng)過反饋電阻R11和R12分壓之后為差分放大器A1的同向輸入端提供反饋電壓VFB,所述反饋電壓VFB的表達(dá)式為:
VFB=〔R12÷(R11+R12)〕×VOUT;
差分放大器A1將參考電壓Vref和反饋電壓VFB進(jìn)行比較得到差值ΔV并將差值ΔV放大后得到ΔVmax,ΔVmax用于驅(qū)動所述功率輸出PMOS晶體管mp10的柵極,從而改變通過功率輸出PMOS晶體管mp10的電流,使得參考電壓Vref與反饋電壓VFB近似相等,進(jìn)而使得輸出電壓VOUT的電壓值趨于恒定。
然而,所述capacitorless?LDO電路100在應(yīng)用過程中發(fā)現(xiàn),當(dāng)負(fù)載電流發(fā)生比較大的變化時(shí)其性能不穩(wěn)定。所述capacitorless?LDO電路100性能不穩(wěn)定的原因在于,負(fù)載電流發(fā)生比較大的變化時(shí)所述capacitorless?LDO電路100的零點(diǎn)沒有隨著第二極點(diǎn)同向移動,由于零點(diǎn)沒能很好的跟蹤第二極點(diǎn)的變化,因此對于穩(wěn)定性造成了不良影響。如圖1所示,當(dāng)負(fù)載電流發(fā)生比較大的變化第二極點(diǎn)將由低頻移動到高頻,而所述capacitorless?LDO電路100的零點(diǎn)并沒有發(fā)生變化,因此,第二極點(diǎn)由低頻轉(zhuǎn)移到高頻使得所述capacitorless?LDO電路100的穩(wěn)定性變差。若負(fù)載電流在瞬間急劇增大,會直接影響所述capacitorless?LDO電路100的正常工作。
因此,如何解決現(xiàn)有的capacitorless?LDO電路在負(fù)載電流急劇變化時(shí)性能不穩(wěn)定的問題成為當(dāng)前亟需解決的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種LDO電路,以解決現(xiàn)有的capacitorless?LDO電路在負(fù)載電流急劇變化時(shí)性能不穩(wěn)定的問題。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種LDO電路,所述LDO電路包括:差分放大器、功率輸出PMOS晶體管、電流鏡單元、第一電阻和第二電阻;
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