[發明專利]LDO電路

有效

• 申請號: 201410098539.5
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN103838290A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 徐光磊
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種LDO電路，其特征在于，包括：差分放大器、功率輸出PMOS晶體管、電流鏡單元、第一電阻和第二電阻；

其中，所述第一電阻和第二電阻串聯于所述功率輸出PMOS晶體管的漏極與地之間，所述差分放大器的正向輸入端連接于所述第一電阻和第二電阻之間，所述電流鏡單元和所述功率輸出PMOS晶體管的柵極均與所述差分放大器的輸出端連接，所述功率輸出PMOS晶體管的漏極與所述第一電阻連接，所述功率輸出PMOS晶體管的漏極與所述第一電阻之間形成第二節點，所述第二節點與所述LDO電路的輸出端連接。

2.如權利要求1所述的LDO電路，其特征在于，所述電流鏡單元包括第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第三PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第三NMOS晶體管、第四NMOS晶體管和第五NMOS晶體管；

所述第一PMOS晶體管、第四NMOS晶體管和第五NMOS晶體管的柵極與所述第三PMOS晶體管和第五NMOS晶體管的漏極均與所述差分放大器的輸出端連接，所述第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管和第三NMOS晶體管的柵極以及所述第一NMOS晶體管的漏極均與所述第一PMOS晶體管的漏極連接，所述第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管和第三NMOS晶體管的源極均接地，所述第二PMOS晶體管和第三PMOS晶體管的柵極以及所述第二PMOS晶體管的漏極均與所述第四NMOS晶體管的漏極連接，所述第二NMOS晶體管的漏極與所述第四NMOS晶體管的源極連接，所述第三NMOS晶體管的漏極與所述第五NMOS晶體管的源極連接。

3.如權利要求2所述的LDO電路，其特征在于，所述第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管和第三NMOS晶體管的尺寸均相等。

4.如權利要求2所述的LDO電路，其特征在于，所述第四NMOS晶體管和第五NMOS晶體管的尺寸相等，所述第二PMOS晶體管和第三PMOS晶體管的尺寸相等。

5.如權利要求1所述的LDO電路，其特征在于，還包括：補償電阻和密勒電容；

所述補償電阻和密勒電容串聯并位于所述第二節點與所述差分放大器的輸出端之間；

所述功率輸出PMOS晶體管的柵極與所述補償電阻之間形成第一節點。

6.如權利要求5所述的LDO電路，其特征在于，所述補償電阻與所述第五NMOS晶體管并聯。

7.如權利要求6所述的LDO電路，其特征在于，所述差分放大器的反向輸入端連接一參考電壓，所述功率輸出PMOS晶體管、第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管和第三PMOS晶體管的源極均與一電源電壓連接。

8.如權利要求1所述的LDO電路，其特征在于，所述LDO電路為無電容型LDO電路。