[發明專利]源極多晶硅的形成方法

在審

• 申請號: 201410098516.4
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN103839796A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 石強;李儒興;秦海燕;李協吉
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種源極多晶硅的形成方法。

背景技術

半導體制造過程中，形成源極多晶硅（Source?Poly）時，先是沉積形成一層多晶硅層，然后采用化學機械研磨磨去一部分多晶硅，僅保留一部分多晶硅，作為源極多晶硅。具體的，請參考圖1至圖4，圖1至圖4為現有技術中形成源極多晶硅過程的結構示意圖。

現有技術中，源極多晶硅的形成方法包括步驟：

S1：提供半導體襯底10，所述半導體襯底10上形成有淺溝槽隔離11、第一介質層20和第二介質層30，所述第二介質30和所述第一介質層20中設有一開口，所述開口暴露出所述半導體襯底10；

S2：在所述開口的內壁依次形成第一側墻41和第二側墻42；

S3：在所述半導體襯底10和第二介質層30的表面形成多晶硅層50，所述多晶硅層50填滿所述開口，如圖1所示；

S4：對所述多晶硅層50進行化學機械研磨處理，去除位于所述第二介質層30表面的多晶硅層50，僅保留位于所述開口內的多晶硅層50，如圖2所示；

S5：對位于所述開口內的多晶硅層50進行回刻蝕（Etch?back）處理，去除殘留物（Residue），如圖4所示。

然而，在步驟S4中，由于半導體襯底10表面具有凹槽等，因此形成的所述多晶硅層50并非十分平整，在進行化學機械研磨時，需要過研磨，如圖3所示，從而保證能夠去除其它區域凹槽內的多晶硅層50，否則也會存在多晶硅的殘留；但過研磨會對位于所述開口邊緣的第一側墻41以及第二側墻42造成損傷，從而會致使影響器件的性能，致使器件的可靠性降低，甚至不合格。

因此，本領域技術人員應解決上述技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種源極多晶硅的形成方法，在對側墻無損傷的情況下確保殘留物被去除。

為了實現上述目的，本發明提出了一種源極多晶硅的形成方法，包括步驟：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有絕緣層，所述絕緣層設有一開口；

在所述開口的內壁形成有側墻，所述開口暴露出半導體襯底；

在所述絕緣層和開口內形成多晶硅層；

研磨去除位于所述絕緣層表面的多晶硅層，保留位于開口內的多晶硅層；

對所述多晶硅層進行刻蝕，去除所述多晶硅層表面的殘留物，形成源極多晶硅。

進一步的，所述半導體襯底為硅襯底，并設有淺溝槽隔離。

進一步的，所述絕緣層包括第一介質層和形成于所述第一介質層表面的第二介質層。

進一步的，所述第一介質層為氧化硅。

進一步的，所述第二介質層為氮化硅。

進一步的，所述側墻包括第一側墻和形成于第一側墻表面的第二側墻。

進一步的，所述側墻的材質為氮化硅、氧化硅或兩者組合。

進一步的，采用濕法刻蝕對所述多晶硅層進行刻蝕。

與現有技術相比，本發明的有益效果主要體現在：在研磨去除位于絕緣層表面的多晶硅后，不再進行過研磨，因此不會對位于開口邊緣的側墻造成損傷，而是直接通過刻蝕去除殘留物以及其它區域凹槽內的多晶硅層，由于多晶硅和側墻的刻蝕選擇比較大，因此刻蝕不會對側墻造成損傷，從而保證形成的器件性能良好，可靠性高。

附圖說明

圖1至圖4為現有技術中形成源極多晶硅過程的結構示意圖；

圖5為本發明一實施例中源極多晶硅形成方法的流程圖；

圖6至圖8為發明一實施例中形成源極多晶硅過程的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合示意圖對本發明的源極多晶硅的形成方法進行更詳細的描述，其中表示了本發明的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明，而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發明的限制。

為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發明由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。