[發(fā)明專利]源極多晶硅的形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410098516.4 | 申請日： | 2014-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN103839796A | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 石強(qiáng);李儒興;秦海燕;李協(xié)吉 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 極多 形成 方法 | ||
1.一種源極多晶硅的形成方法，包括步驟：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有絕緣層，所述絕緣層設(shè)有一開口；
在所述開口的內(nèi)壁形成有側(cè)墻，所述開口暴露出半導(dǎo)體襯底；
在所述絕緣層和開口內(nèi)形成多晶硅層；
研磨去除位于所述絕緣層表面的多晶硅層，保留位于開口內(nèi)的多晶硅層；
對所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕，去除所述多晶硅層表面的殘留物，形成源極多晶硅。
2.如權(quán)利要求1所述的源極多晶硅的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底，并設(shè)有淺溝槽隔離。
3.如權(quán)利要求1所述的源極多晶硅的形成方法，其特征在于，所述絕緣層包括第一介質(zhì)層和形成于所述第一介質(zhì)層表面的第二介質(zhì)層。
4.如權(quán)利要求3所述的源極多晶硅的形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層為氧化硅。
5.如權(quán)利要求3所述的源極多晶硅的形成方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層為氮化硅。
6.如權(quán)利要求1所述的源極多晶硅的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻包括第一側(cè)墻和形成于第一側(cè)墻表面的第二側(cè)墻。
7.如權(quán)利要求6所述的源極多晶硅的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻的材質(zhì)為氮化硅、氧化硅或兩者組合。
8.如權(quán)利要求1所述的源極多晶硅的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕對所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
