[發(fā)明專利]產(chǎn)品測(cè)試電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410098499.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103837823A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 程軍軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 產(chǎn)品 測(cè)試 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種產(chǎn)品測(cè)試電路。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體芯片在生產(chǎn)完成之后,通常需要對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行一系列的性能測(cè)試,例如晶圓可靠性測(cè)試(Wafer?Acceptance?Test,WAT)等。為了檢測(cè)所述半導(dǎo)體芯片的某一性能參數(shù),通常需要在針卡(Prober?Card)上固定相應(yīng)的電器元件,組成測(cè)試電路對(duì)所述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行相應(yīng)的測(cè)試。
然而,傳統(tǒng)的測(cè)試電路十分復(fù)雜,具有很多電路元件,若出現(xiàn)問(wèn)題時(shí),除錯(cuò)過(guò)程將十分復(fù)雜和困難;此外,一個(gè)傳統(tǒng)的測(cè)試電路也十分占據(jù)面積,由于針卡的面積十分有限,因此一個(gè)針卡上無(wú)法固定多個(gè)測(cè)試電路,即無(wú)法實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行多晶(Die)測(cè)試,若需要進(jìn)行多晶測(cè)試,則需要使用大量的針卡,不利于降低生產(chǎn)成本。
因此,本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)盡快上述存在的技術(shù)問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種產(chǎn)品測(cè)試電路,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,占用面積小等優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提出了一種產(chǎn)品測(cè)試電路,用于對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行性能測(cè)試,所述電路包括:
脈沖電路,用于提供脈沖信號(hào);
測(cè)試電路,根據(jù)所述脈沖信號(hào)對(duì)所述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行性能測(cè)試;
換相單元,用于對(duì)所述測(cè)試電路的電流進(jìn)行換相處理。
進(jìn)一步的,所述脈沖電路包括脈沖發(fā)生器和MOS管,所述脈沖發(fā)生器一端與所述MOS管的柵極相連,所述MOS管的漏極接地,所述MOS管的源極連接一測(cè)試端SR1。
進(jìn)一步的,所述測(cè)試電路包括一電源和電容,所述電源和電容并聯(lián),且所述電源和電容的負(fù)極均接地,所述電源和電容的正極連接另一測(cè)試端SR2。
進(jìn)一步的,所述換相單元設(shè)于所述測(cè)試電路中,連接在所述電源和MOS管或電容和MOS管之間。
進(jìn)一步的,所述換相單元為單刀雙擲MOS開(kāi)關(guān)。
進(jìn)一步的,所述半導(dǎo)體芯片連接于所述測(cè)試端SR1和測(cè)試端SR2之間。
進(jìn)一步的,所述產(chǎn)品測(cè)試電路用于對(duì)半導(dǎo)體芯片的電流進(jìn)行檢測(cè)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:產(chǎn)品測(cè)試電路包括脈沖電路、測(cè)試電路和換相單元,其電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,占用面積較小,可以固定多個(gè)產(chǎn)品測(cè)試電路在針卡上,實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體芯片的多晶測(cè)試,有利于降低生產(chǎn)成本,若產(chǎn)品測(cè)試電路出現(xiàn)問(wèn)題時(shí),也十分容易進(jìn)行問(wèn)題分析,提高工作效率。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中產(chǎn)品測(cè)試電路的電路示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的產(chǎn)品測(cè)試電路進(jìn)行更詳細(xì)的描述,其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明,而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此,下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道,而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
為了清楚,不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中,不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu),因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中,必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo),例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制,由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外,應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的,但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是,附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例,僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
請(qǐng)參考圖1,在本實(shí)施例中,提出了一種產(chǎn)品測(cè)試電路,用于對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行性能測(cè)試,所述電路包括:
脈沖電路,用于提供脈沖信號(hào);
在本實(shí)施例中,所述脈沖電路包括脈沖發(fā)生器PG和MOS管M,所述脈沖發(fā)生器PG一端與所述MOS管M的柵極相連,所述MOS管M的漏極接地,所述MOS管M的源極連接一測(cè)試端SR1+或者SR1-;所述脈沖發(fā)生器PG可以根據(jù)具體需求發(fā)送具有預(yù)定脈沖寬度、時(shí)間的脈沖信號(hào),脈沖信號(hào)能夠使所述MOS管M按照脈沖信號(hào)的脈沖寬度和時(shí)間等進(jìn)行導(dǎo)通。
測(cè)試電路,根據(jù)所述脈沖信號(hào)對(duì)所述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行性能測(cè)試;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司,未經(jīng)上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
- 軟件測(cè)試系統(tǒng)及測(cè)試方法
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