[發明專利]產品測試電路

在審

• 申請號: 201410098499.4
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN103837823A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 程軍軍
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種產品測試電路。

背景技術

半導體芯片在生產完成之后，通常需要對半導體芯片進行一系列的性能測試，例如晶圓可靠性測試（Wafer?Acceptance?Test,WAT）等。為了檢測所述半導體芯片的某一性能參數，通常需要在針卡（Prober?Card）上固定相應的電器元件，組成測試電路對所述半導體芯片進行相應的測試。

然而，傳統的測試電路十分復雜，具有很多電路元件，若出現問題時，除錯過程將十分復雜和困難；此外，一個傳統的測試電路也十分占據面積，由于針卡的面積十分有限，因此一個針卡上無法固定多個測試電路，即無法實現對半導體芯片進行多晶（Die）測試，若需要進行多晶測試，則需要使用大量的針卡，不利于降低生產成本。

因此，本領域技術人員應盡快上述存在的技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種產品測試電路，具有結構簡單，占用面積小等優點。

為了實現上述目的，本發明提出了一種產品測試電路，用于對半導體芯片進行性能測試，所述電路包括：

脈沖電路，用于提供脈沖信號；

測試電路，根據所述脈沖信號對所述半導體芯片進行性能測試；

換相單元，用于對所述測試電路的電流進行換相處理。

進一步的，所述脈沖電路包括脈沖發生器和MOS管，所述脈沖發生器一端與所述MOS管的柵極相連，所述MOS管的漏極接地，所述MOS管的源極連接一測試端SR1。

進一步的，所述測試電路包括一電源和電容，所述電源和電容并聯，且所述電源和電容的負極均接地，所述電源和電容的正極連接另一測試端SR2。

進一步的，所述換相單元設于所述測試電路中，連接在所述電源和MOS管或電容和MOS管之間。

進一步的，所述換相單元為單刀雙擲MOS開關。

進一步的，所述半導體芯片連接于所述測試端SR1和測試端SR2之間。

進一步的，所述產品測試電路用于對半導體芯片的電流進行檢測。

與現有技術相比，本發明的有益效果主要體現在：產品測試電路包括脈沖電路、測試電路和換相單元，其電路結構簡單，占用面積較小，可以固定多個產品測試電路在針卡上，實現對半導體芯片的多晶測試，有利于降低生產成本，若產品測試電路出現問題時，也十分容易進行問題分析，提高工作效率。

附圖說明

圖1為本發明一實施例中產品測試電路的電路示意圖。

具體實施方式

下面將結合示意圖對本發明的產品測試電路進行更詳細的描述，其中表示了本發明的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明，而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發明的限制。

為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發明由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。

請參考圖1，在本實施例中，提出了一種產品測試電路，用于對半導體芯片進行性能測試，所述電路包括：

脈沖電路，用于提供脈沖信號；

在本實施例中，所述脈沖電路包括脈沖發生器PG和MOS管M，所述脈沖發生器PG一端與所述MOS管M的柵極相連，所述MOS管M的漏極接地，所述MOS管M的源極連接一測試端SR1+或者SR1-；所述脈沖發生器PG可以根據具體需求發送具有預定脈沖寬度、時間的脈沖信號，脈沖信號能夠使所述MOS管M按照脈沖信號的脈沖寬度和時間等進行導通。

測試電路，根據所述脈沖信號對所述半導體芯片進行性能測試；