[發(fā)明專利]基板處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410098060.1 | 申請日: | 2014-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN104051305B | 公開(公告)日: | 2017-08-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 山口貴大 | 申請(專利權(quán))人: | 斯克林集團公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003 | 代理人: | 宋曉寶,郭曉東 |
| 地址: | 日本國京*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,
具有:
多個卡盤銷,分別設置有用于容納基板的周緣部的容納槽,通過將所述容納槽的內(nèi)表面推壓在所述基板的周緣部上,在把持位置將所述基板把持為水平姿勢,
噴嘴,向所述多個卡盤銷所把持的基板噴出處理液,
多個引導構(gòu)件,分別配置在所述多個卡盤銷的上方,將從所述基板排出的處理液向所述基板的周圍引導,
旋轉(zhuǎn)馬達,使所述多個卡盤銷與所述多個引導構(gòu)件一起圍繞通過所述基板的鉛垂的基板旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn),
筒狀的杯,以所述基板旋轉(zhuǎn)軸線為中心包圍所述多個卡盤銷以及引導構(gòu)件,用于擋住從所述多個卡盤銷所把持的基板向遠離所述基板的中心側(cè)排出的處理液;
所述多個引導構(gòu)件各自具有:引導內(nèi)緣,配置在比所述容納槽更靠近所述基板的中心側(cè)且比所述容納槽更靠上方的位置;引導外緣,配置在與所述引導內(nèi)緣相等或比所述引導內(nèi)緣更靠下方的高度,且配置在比所述卡盤銷更遠離所述基板的中心側(cè)的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,所述引導外緣比所述容納槽更靠下方。
3.一種基板處理裝置,其特征在于,具有:
多個卡盤銷,分別設置有用于容納基板的周緣部的容納槽,通過將所述容納槽的內(nèi)表面推壓在所述基板的周緣部上,在把持位置將所述基板把持為水平姿勢,
噴嘴,向所述多個卡盤銷所把持的基板噴出處理液,
多個引導構(gòu)件,分別配置在所述多個卡盤銷的上方,將從所述基板排出的處理液向所述基板的周圍引導,
旋轉(zhuǎn)馬達,使所述多個卡盤銷與所述多個引導構(gòu)件一起圍繞通過所述基板的鉛垂的基板旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn),
筒狀的杯,以所述基板旋轉(zhuǎn)軸線為中心包圍所述多個卡盤銷以及引導構(gòu)件,用于擋住從所述多個卡盤銷所把持的基板向遠離所述基板的中心側(cè)排出的處理液;
所述多個引導構(gòu)件各自具有:引導內(nèi)緣,配置在比所述容納槽更靠近所述基板的中心且比所述容納槽更靠上方的位置;引導外緣,配置在與所述引導內(nèi)緣相等或比所述引導內(nèi)緣更靠下方的高度,且配置在比所述卡盤銷更遠離所述基板的中心的位置;朝下的下傾斜面,該下傾斜面的至少一部分在與所述基板旋轉(zhuǎn)軸線垂直的方向即徑向上配置在所述卡盤銷和所述引導外緣之間,并以上端比下端更靠近所述基板的中心的方式傾斜。
4.一種基板處理裝置,其特征在于,具有:
多個卡盤銷,分別設置有用于容納基板的周緣部的容納槽,通過將所述容納槽的內(nèi)表面推壓在所述基板的周緣部上,在把持位置將所述基板把持為水平姿勢,
噴嘴,向所述多個卡盤銷所把持的基板噴出處理液,
多個引導構(gòu)件,分別配置在所述多個卡盤銷的上方,將從所述基板排出的處理液向所述基板的周圍引導,
旋轉(zhuǎn)馬達,使所述多個卡盤銷與所述多個引導構(gòu)件一起圍繞通過所述基板的鉛垂的基板旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn),
筒狀的杯,以所述基板旋轉(zhuǎn)軸線為中心包圍所述多個卡盤銷以及引導構(gòu)件,用于擋住從所述多個卡盤銷所把持的基板向遠離所述基板的中心側(cè)排出的處理液;
所述多個引導構(gòu)件各自具有:引導內(nèi)緣,配置在比所述容納槽更靠近所述基板的中心且比所述容納槽更靠上方的位置;引導外緣,配置在與所述引導內(nèi)緣相等或比所述引導內(nèi)緣更靠下方的高度,且配置在比所述卡盤銷更遠離所述基板的中心的位置;朝內(nèi)面,該朝內(nèi)面從所述引導內(nèi)緣向斜下方并向遠離所述基板的中心側(cè)延伸,并比所述容納槽更靠上方。
5.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,所述引導構(gòu)件還包括從所述引導外緣向斜上方并向靠近所述基板的中心側(cè)延伸的朝外面。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,所述卡盤銷包括配置在所述容納槽的上方的銷上表面,
所述引導構(gòu)件是與所述卡盤銷不同的構(gòu)件,并配置在所述銷上表面之上。
7.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置,其特征在于,所述引導構(gòu)件在俯視下與整個所述銷上表面重疊。
8.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置,其特征在于,從所述銷上表面至所述引導內(nèi)緣的高度大于從位于所述把持位置的基板的上表面至所述銷上表面的高度。
9.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置,其特征在于,在與所述基板旋轉(zhuǎn)軸線垂直的方向即徑向上,從所述引導內(nèi)緣至所述銷上表面的內(nèi)緣的距離大于從位于所述把持位置的基板的上表面至所述銷上表面的高度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





