[發明專利]一種等離子體處理腔室及其基臺的制造方法有效
| 申請號： | 201410097630.5 | 申請日： | 2014-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN104934279B | 公開（公告）日： | 2017-08-01 |
| 發明（設計）人： | 左濤濤;吳狄 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01J9/24 | 分類號： | H01J9/24 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 等離子體 處理 及其 制造 方法 | ||
1.一種等離子體處理腔室的基臺的制造方法，其中，所述等離子體處理腔室包括一腔體，基臺設置于所述腔體下方用于承載基片，反應氣體從該腔體上方進入腔室并在射頻能量的作用下激發成等離子體從而對夾持于所述基臺之上的基片進行制程，其中，所述制造方法包括如下步驟：
提供一基體；
采用熱壓將第一絕緣層設置于在所述基體上方，其中，在所述第一絕緣層中設置有加熱裝置；
采用熱噴涂在所述基體外圍做抗腐蝕涂層；
在所述第一絕緣層之上設置一層粘結層之后，所述制造方法還包括在所述粘結層之上設置第二絕緣層并在該第二絕緣層中設置直流電極的步驟,所述基體的材料為鋁合金,所述第一絕緣層的材料為高分子塑料聚合物,所述高分子塑料聚合物包括聚酰亞胺材料、聚醚醚酮樹脂、聚醚酰亞胺,熱壓是在260℃至400℃的溫度下進行的。
2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述抗腐蝕涂層的材料包括Al2O3，Y2O3，AlN以及上述材料的混合。
3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述熱噴涂是在200℃以下的溫度進行的。
4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在采用熱噴涂在所述基體外圍做抗腐蝕涂層之后，所述制造方法還包括在所述第一絕緣層之上設置一層粘結層的步驟。
5.一種等離子體處理腔室的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括權利要求1至4任一項所述的基臺的制造方法。
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