[發明專利]一種等離子體處理腔室及其基臺的制造方法

有效

• 申請號: 201410097630.5
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN104934279B
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 左濤濤;吳狄
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J9/24
• 分類號: H01J9/24
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司31002
• 代理人: 王潔

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種等離子體處理腔室及其基臺的制造方法。

背景技術

等離子處理裝置利用真空反應室的工作原理進行半導體基片和等離子平板的基片的加工。真空反應室的工作原理是在真空反應室中通入含有適當刻蝕劑源氣體的反應氣體，然后再對該真空反應室進行射頻能量輸入，以激活反應氣體，來激發和維持等離子體，以便分別刻蝕基片表面上的材料層或在基片表面上淀積材料層，進而對半導體基片和等離子平板進行加工。

等離子體處理裝置的基臺設置于腔室下方，其上設置有靜電夾盤用于夾持基片。基臺包括一基體，基體之上設置有多層材料，每層材料可以承受的高溫不同，而在加工過程中又需要在一定溫度條件下執行，因此使得基臺的制造方法存在很多風險。

發明內容

針對背景技術中的上述問題，本發明提出了一種等離子體處理腔室及其基臺的制造方法。

本發明第一方面提供了一種等離子體處理腔室的基臺的制造方法，其中，所述等離子體處理腔室包括一腔體，基臺設置于所述腔體下方用于承載基片，反應氣體從該腔體上方進入腔室并在射頻能量的作用下激發成等離子體從而對所述基臺之上的基片進行制程，其中，所述制造方法包括如下步驟：

提供一基體；

采用熱壓將第一絕緣層粘附在所述基體上方，其中，在所述第一絕緣層中設置有加熱裝置；

采用熱噴涂在所述基體外圍做抗腐蝕涂層。

進一步地，所述基體的材料為鋁合金。

進一步地，所述第一絕緣層的材料為高分子塑料聚合物。

進一步地，所述高分子塑料聚合物包括聚酰亞胺材料、聚醚醚酮樹脂、聚醚酰亞胺。

進一步地，所述熱壓是在260℃至400℃的溫度下進行的。

進一步地，所述抗腐蝕涂層的材料包括Al₂O₃，Y₂O₃，AlN以及上述材料的混合。

進一步地，所述熱噴涂是在200℃以下的溫度進行的。

進一步地，在采用熱噴涂在所述基體外圍做抗腐蝕涂層之后，所述制造方法還包括在所述第一絕緣層之上設置一層粘結層的步驟。

進一步地，在所述第一絕緣層之上設置一層粘結層之后，所述制造方法還包括在所述粘結層之上設置第二絕緣層并在該第二絕緣層中設置直流電極的步驟。

本發明第二方面提供了一種等離子體處理腔室的制造方法，其中，所述制造方法本發明第一方面所述的基臺的制造方法。

本發明提供的一種等離子體處理腔室及其基臺的制造方法雖然需要在在不同溫度和壓力下完成多層材料的依次設置，但是不會相互影響，也不會因為后續制造步驟溫度過高而導致已經做好的材料層有融化的風險。本發明還可以有效地防止電弧放電和金屬污染。

附圖說明

圖1是等離子體處理腔室的結構示意圖；

圖2是等離子體處理腔室的基臺的結構示意圖；

圖3是根據本發明一個具體實施例的等離子體處理腔室的基臺制造方法的步驟流程圖。

具體實施方式

以下結合附圖，對本發明的具體實施方式進行說明。

要指出的是，“半導體工藝件”、“晶圓”和“基片”這些詞在隨后的說明中將被經常互換使用，在本發明中，它們都指在處理反應室內被加工的工藝件，工藝件不限于晶圓、襯底、基片、大面積平板基板等。為了方便說明，本文在實施方式說明和圖示中將主要以“基片”為例來作示例性說明。