[發(fā)明專利]改善閃存高溫氧化處理的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410097591.9
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN103839893A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李占斌
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種改善閃存高溫氧化處理的方法，其特征在于包括：

第一步驟：將晶圓從用于放置和傳輸晶圓盒的設(shè)備傳遞至爐體內(nèi)的反應(yīng)腔體；

第二步驟：將爐體連接至氣體集成系統(tǒng)，并且利用金屬管將爐體連接至與氣體集成系統(tǒng)相連的抽真空泵；

第三步驟：在爐體內(nèi)的反應(yīng)腔體對晶圓執(zhí)行高溫氧化處理，其中氣體集成系統(tǒng)用于控制反應(yīng)腔體內(nèi)的工藝氣體，并且其中開啟抽真空泵以便在高溫氧化處理的過程中對爐體進(jìn)行抽真空。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善閃存高溫氧化處理的方法，其特征在于，所述改善閃存高溫氧化處理的方法用于在高溫800攝氏度的環(huán)境中以低壓<500

mToll生長500A～600A厚度的二氧化硅SiO₂薄膜的工藝。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善閃存高溫氧化處理的方法，其特征在于，所述改善閃存高溫氧化處理的方法用于生長作為隔離物的氧化物的閃存制造工藝。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善閃存高溫氧化處理的方法，其特征在于，在高溫氧化處理中發(fā)生了如下化學(xué)反應(yīng)：

SiH₂Cl₂+2N₂O→SiO₂+2N₂+2HCl。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善閃存高溫氧化處理的方法，其特征在于，在高溫氧化處理中發(fā)生了如下化學(xué)反應(yīng)：

4SiH₂Cl₂+4H₂O→(SiH₂O)₄(固體)+8HCl。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善閃存高溫氧化處理的方法，其特征在于，在高溫氧化處理中發(fā)生了如下化學(xué)反應(yīng)：

SiH₂Cl₂+O₂→SiO₂(固體)+2HCl。