[發(fā)明專利]改善閃存高溫氧化處理的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410097591.9
• 申請(qǐng)日: 2014-03-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103839893A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李占斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8247
• 分類號(hào): H01L21/8247
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種改善閃存高溫氧化處理的方法。

背景技術(shù)

閃存以其便捷，存儲(chǔ)密度高，可靠性好等優(yōu)點(diǎn)成為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中研究的熱點(diǎn)。從二十世紀(jì)八十年代第一個(gè)閃存產(chǎn)品問(wèn)世以來(lái)，隨著技術(shù)的發(fā)展和各類電子產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)的需求，閃存被廣泛用于手機(jī)，筆記本，掌上電腦和U盤等移動(dòng)和通訊設(shè)備中。

閃存為一種非易變性存儲(chǔ)器，其運(yùn)作原理是通過(guò)改變晶體管或存儲(chǔ)單元的臨界電壓來(lái)控制門極通道的開(kāi)關(guān)以達(dá)到存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的目的，使存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)不會(huì)因電源中斷而消失，而閃存為電可擦除且可編程的只讀存儲(chǔ)器的一種特殊結(jié)構(gòu)。如今閃存已經(jīng)占據(jù)了非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的大部分市場(chǎng)份額，成為發(fā)展最快的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。

然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，閃存產(chǎn)品的良率很難提高，由此提高閃存產(chǎn)品的良率是值得期待的方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠閃存產(chǎn)品的良率的方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種改善閃存高溫氧化處理的方法，其包括：

第一步驟：將晶圓從用于放置和傳輸晶圓盒的設(shè)備傳遞至爐體內(nèi)的反應(yīng)腔體；

第二步驟：將爐體連接至氣體集成系統(tǒng)，并且利用導(dǎo)管將爐體連接至與氣體集成系統(tǒng)相連的抽真空泵；

第三步驟：在爐體內(nèi)的反應(yīng)腔體對(duì)晶圓執(zhí)行高溫氧化處理，其中氣體集成系統(tǒng)用于控制反應(yīng)腔體內(nèi)的工藝氣體，并且其中開(kāi)啟抽真空泵以便在高溫氧化處理的過(guò)程中對(duì)爐體進(jìn)行抽真空。

優(yōu)選地，所述改善閃存高溫氧化處理的方法用于在高溫800攝氏度的環(huán)境中以低壓<500mToll生長(zhǎng)500A～600A厚度的二氧化硅SiO₂薄膜的工藝。

優(yōu)選地，所述改善閃存高溫氧化處理的方法用于生長(zhǎng)作為隔離物的氧化物的閃存制造工藝。

優(yōu)選地，在高溫氧化處理中發(fā)生了如下化學(xué)反應(yīng)：

SiH₂Cl₂+2N₂O→SiO₂+2N₂+2HCl。

優(yōu)選地，在高溫氧化處理中發(fā)生了如下化學(xué)反應(yīng)：

4SiH₂Cl₂+4H₂O→(SiH₂O)₄(固體)+8HCl。

優(yōu)選地，在高溫氧化處理中發(fā)生了如下化學(xué)反應(yīng)：

SiH₂Cl₂+O₂→SiO₂(固體)+2HCl。

在閃存制造的高溫氧化處理中產(chǎn)生了會(huì)影響閃存產(chǎn)品的良率的氯離子（Cl^-）副產(chǎn)品，相應(yīng)地，在根據(jù)本發(fā)明的改善閃存高溫氧化處理的方法中，通過(guò)外加真空排氣功能減少環(huán)境中氯離子的殘留，有效地改善閃存產(chǎn)品的良率。

附圖說(shuō)明

結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的改善閃存高溫氧化處理的方法的流程圖。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的改善閃存高溫氧化處理的方法的具體示例的示意圖。

需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。

在閃存的制造工藝中，存在需要進(jìn)行高溫氧化處理以生長(zhǎng)氧化物（例如，作為隔離物的氧化物）的工藝步驟。例如，在某些具體閃存工藝中，會(huì)需要在高溫800攝氏度的環(huán)境中，以低壓<500mToll，生長(zhǎng)500A～600A厚度的二氧化硅SiO₂薄膜。

本發(fā)明的發(fā)明人有利地發(fā)現(xiàn)，在高溫氧化處理會(huì)不期望地出現(xiàn)的氯離子（Cl^-）副產(chǎn)品，如果不去除氯離子，則最終會(huì)影響閃存產(chǎn)品的良率。相應(yīng)地，本發(fā)明的發(fā)明人提出通過(guò)外加真空排氣功能減少環(huán)境中氯離子的殘留，以改善閃存產(chǎn)品的良率。