[發明專利]參數監測方法在審
| 申請號： | 201410097489.9 | 申請日： | 2014-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN103871933A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 曾軍;高峰 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 參數 監測 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種參數監測方法，包括步驟：?
篩選出多個參數中具有相關性的參數；?
由所述具有相關性的參數獲取一常數；?
使用圖表收集和記錄所述常數；?
根據所述常數監測所述具有相關性的參數。?
2.如權利要求1所述的參數監測方法，其特征在于，所述具有相關性的參數通過一公式計算得出所述常數。?
3.如權利要求2所述的參數監測方法，其特征在于，所述公式具有多個系數。?
4.如權利要求3所述的參數監測方法，其特征在于，所述系數與所述具有相關性的參數個數相同。?
5.如權利要求4所述的參數監測方法，其特征在于，所述系數通過曲線擬合法得出。?
6.如權利要求1所述的參數監測方法，其特征在于，所述圖表設有一范圍。?
7.如權利要求6所述的參數監測方法，其特征在于，所述常數超出所述范圍時，則引發出報警。?
8.如權利要求1所述的參數監測方法，其特征在于，所述具有相關性的參數是靶電壓和靶材壽命。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
