[發明專利]一種用于加工載體的方法

有效

• 申請號: 201410096705.8
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN104051274B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: M.倫克;S.特根
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技德累斯頓有限責任公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 申屠偉進,胡莉莉

技術領域

各個實施例總體上涉及一種用于加工載體的方法。

背景技術

制造集成電路、芯片或管芯或者加工載體可以包括至少一個蝕刻工藝以便生成結構元件的希望的形狀。應用諸如等離子體蝕刻或者例如反應等離子體蝕刻之類的蝕刻工藝縱然有許多優點，也可能具有可能發生載荷機制（載荷效應），例如微載荷或者依賴于寬高比的蝕刻的問題。由此，載體上的集成電路中包含的具有較大開放區域的孔（或者凹口）可能最終具有比具有較小開放區域的另一個孔（或者另一個凹口）更大的深度，而不管對于這兩個孔（或者這兩個凹口）使用了非常相同的蝕刻工藝。因此，晶片上的鄰近結構元件之間的距離以及結構元件的尺寸在蝕刻工藝期間可以影響蝕刻速率。

發明內容

依照一個或多個實施例的一種用于加工載體的方法可以包括：在載體上方和在載體中的至少一個中形成多個結構元件，其中所述多個結構元件中的至少兩個鄰近結構元件具有彼此之間的第一距離；在所述多個結構元件上方沉積第一層，該第一層具有等于所述至少兩個鄰近結構元件之間的第一距離的厚度；在第一層上方形成至少一個附加層，其中所述至少一個附加層覆蓋第一層的暴露表面；移除所述至少一個附加層的部分以便部分地暴露第一層；以及部分地移除第一層，其中所述至少兩個鄰近結構元件的至少一個側壁部分地暴露。

此外，依照一個或多個實施例的一種用于加工載體的方法可以包括：在載體上方和在載體中的至少一個中形成多個結構元件，其中所述多個結構元件中的至少兩個鄰近結構元件具有彼此之間的第一距離；在所述多個結構元件上方沉積第一層，該第一層具有小于所述至少兩個鄰近結構元件之間的第一距離的一半的厚度；在第一層上方形成至少一個附加層，其中所述至少一個附加層覆蓋第一層的暴露表面；移除所述至少一個附加層的部分以便部分地暴露第一層；以及部分地移除第一層，其中所述至少兩個鄰近結構元件的至少一個側壁部分地暴露。

附圖說明

在附圖中，相同的附圖標記通常貫穿不同的視圖表示相同的部分。附圖不一定符合比例，相反地，重點一般放在圖解說明本發明的原理。在以下具體實施方式中，參照以下附圖描述了本發明的各個實施例，其中：

圖1示出了依照各個實施例的用于加工載體的方法100的流程圖；

圖2示出了依照各個實施例的用于加工載體的方法200的流程圖；

圖3A-3H分別示出了參照依照各個實施例的方法100的各個加工階段的載體的截面；

圖4A和4B分別示出了參照依照各個實施例的方法200的各個加工階段的載體的截面；

圖5A和5B分別示出了參照依照各個實施例的方法100的各個加工階段的載體的截面；

圖6A和6B分別示出了參照依照各個實施例的方法200的各個加工階段的載體的截面；

圖7A和7B分別示出了參照依照各個實施例的方法200的各個加工階段的載體的截面；

圖8示出了依照各個實施例的包括多個孔的載體的頂視圖和截面；以及

圖9示出了依照各個實施例的包括多個凹口的載體的頂視圖和截面。

具體實施方式

以下詳細描述參照了附圖，這些附圖通過圖示的方式示出了其中可以實施本發明的實施例和特定細節。

措詞“示例性”在本文中用來表示“用作實例、示例或者例證”。在本文中描述為“示例性”的任何實施例或設計不一定應當解釋為相對于其他實施例或設計是優選的或有利的。

關于在側面或表面“上方”形成的沉積材料所使用的措詞“上方”可以在本文中用來表示該沉積材料可以“直接在暗示的側面或表面上”（例如與其直接接觸地）形成。關于在側面或表面“上方”形成的沉積材料所使用的措詞“上方”可以在本文中用來表示該沉積材料可以“間接在暗示的側面或表面上”形成，其中一個或多個附加層布置在暗示的側面或表面與沉積材料之間。

關于結構的橫向延伸（或者結構元件的橫向延伸）使用的措詞“橫向”可以在本文中用來表示沿著與載體表面平行的方向的延伸。這意味著載體的表面（例如襯底的表面或者晶片的表面）可以用作基準。此外，關于結構的寬度（或者結構元件的寬度）使用的措詞“寬度”可以在本文中用來表示結構的橫向延伸（或者結構元件的橫向延伸）。此外，關于結構的高度（或者結構元件的高度）使用的措詞“高度”可以在本文中用來表示結構（或者結構元件）沿著與載體表面垂直的方向的延伸。