[發明專利]一種用于加工載體的方法

有效

• 申請號: 201410096705.8
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN104051274B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: M.倫克;S.特根
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技德累斯頓有限責任公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 申屠偉進,胡莉莉

1.一種用于加工載體的方法，該方法包括：

在載體上方和在載體中的至少一個中形成多個結構元件，其中所述多個結構元件中的至少兩個鄰近結構元件具有彼此之間的第一距離；

在所述多個結構元件上方沉積第一層，該第一層具有等于所述至少兩個鄰近結構元件之間的第一距離的厚度；

在第一層上方形成至少一個附加層，其中所述至少一個附加層覆蓋第一層的暴露表面；

移除所述至少一個附加層的部分以便部分地暴露第一層；

部分地移除第一層，其中部分地暴露所述至少兩個鄰近結構元件的至少一個側壁，其中

所述多個結構元件中的至少兩個鄰近結構元件具有比第一距離的二倍更大的彼此之間的距離。

2.權利要求1的方法，

所述多個結構元件在所述多個結構元件中的至少一個結構元件的表面處包括至少一個電絕緣層。

3.權利要求2的方法，其中

所述至少一個電絕緣層包括氧化物層。

4.權利要求1的方法，其中

所述多個結構元件中的至少一個結構元件具有鰭狀物的形狀。

5.權利要求1的方法，其中

所述多個結構元件中的至少一個結構元件為FinFET的部分。

6.權利要求1的方法，其中在所述多個結構元件上方沉積第一層包括在所述多個結構元件上方共形地沉積第一層。

7.權利要求1的方法，其中

第一層包括導電材料。

8.權利要求1的方法，其中

第一層包括導電多晶體硅。

9.權利要求1的方法，其中

形成所述至少一個附加層包括使用共形沉積工藝沉積至少一層。

10.權利要求1的方法，其中

形成所述至少一個附加層包括使用高溫氧化生長至少一層。

11.權利要求1的方法，其中

所述至少一個附加層包括與第一層的材料不同的材料。

12.權利要求1的方法，其中

形成所述至少一個附加層包括：

在第一層上方形成至少第二層，

其中第二層填充所述多個結構元件中的鄰近結構元件之間的剩余空間。

13.一種用于加工載體的方法，該方法包括：

在載體上方和在載體中的至少一個中形成多個結構元件，其中所述多個結構元件中的至少兩個鄰近結構元件具有彼此之間的第一距離；

在所述多個結構元件上方沉積第一層，該第一層具有小于所述至少兩個鄰近結構元件之間的第一距離的一半的厚度；

在第一層上方形成至少一個附加層，其中所述至少一個附加層覆蓋第一層的暴露表面；

移除所述至少一個附加層的部分以便部分地暴露第一層；

部分地移除第一層，其中部分地暴露所述至少兩個鄰近結構元件的至少一個側壁，其中

所述多個結構元件中的至少兩個鄰近結構元件具有比第一距離更大的彼此之間的距離。

14.權利要求13的方法，

所述多個結構元件在所述多個結構元件中的至少一個結構元件的表面處包括至少一個電絕緣層。

15.權利要求14的方法，其中

所述至少一個電絕緣層包括氧化物層。

16.權利要求13的方法，其中

所述多個結構元件中的至少一個結構元件具有鰭狀物的形狀。

17.權利要求13的方法，其中

所述多個結構元件中的至少一個結構元件為FinFET的部分。

18.權利要求13的方法，其中

在所述多個結構元件上方沉積第一層包括在所述多個結構元件上方共形地沉積第一層。

19.權利要求13的方法，其中

第一層包括導電材料。

20.權利要求13的方法，其中

形成所述至少一個附加層包括使用共形沉積工藝沉積至少一層。

21.權利要求13的方法，其中

形成所述至少一個附加層包括使用高溫氧化生長至少一層。