[發明專利]形成高電子遷移率半導體器件的方法在審
| 申請號： | 201410095340.7 | 申請日： | 2014-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN104051236A | 公開（公告）日： | 2014-09-17 |
| 發明（設計）人： | A·薩利赫;小J·M·帕西 | 申請（專利權）人： | 半導體元件工業有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/335;H01L29/04;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 申發振 |
| 地址： | 美國亞*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 電子 遷移率 半導體器件 方法 | ||
技術領域
本發明一般而言涉及電子器件，更具體而言，涉及半導體及其結構、以及形成半導體器件的方法。
背景技術
以往，半導體產業利用各種方法來形成使用了III系半導體材料、諸如氮化鎵(GaN)作為半導體材料之一的半導體器件。該器件通常地形成在GaN基板上。然而，GaN比較昂貴，結果導致對于半導體器件而言成本高。
從而，期望的是具有成本低的使用GaN或者其他III-V系和/或II-VI系材料、諸如III族氮化物系材料的半導體器件。
附圖說明
圖1概要地示出依據本發明的可能對于形成GaN有用的晶體結構的實施例的示例；
圖2概要地示出依據本發明的GaN和硅的晶體結構的實施例的示例；
圖3-圖5示出依據本發明的形成GaN或者SiC半導體器件或者其他III-V或者II-VI系半導體器件的方法的實施例的示例的部分中的各個階段；
圖6示出依據本發明的納米多孔硅的各種圖像；
圖7-圖12示出依據本發明形成包含GaN或者SiC半導體器件或者其他III-V或者II-VI系半導體器件的HEM器件的方法的實施例的示例的部分中的各個階段；
圖13-圖15示出依據本發明形成包含GaN或者SiC半導體器件或者其他III-V或者II-VI系半導體器件的HEM器件的方法的另一個實施例的示例的部分中的各個階段；
圖16-圖19示出依據本發明形成包含GaN或者SiC半導體器件或者其他III-V或者II-VI系半導體器件的HEM器件的方法的替代實施例的示例的部分中的各個階段；
圖20-圖21示出依據本發明形成包含GaN或者SiC半導體器件或者其他III-V或者II-VI系半導體器件的HEM器件的方法的另一個替代實施例的示例的部分中的各個階段；
圖22-圖24示出依據本發明形成包含GaN或者SiC半導體器件或者其他III-V或者II-VI系半導體器件的HEM器件的方法的另一個替代實施例的示例的部分中的各個階段；
圖25示出依據本發明形成包含GaN或者SiC半導體器件或者其他III-V或者II-VI系半導體器件的HEM器件的方法的另一個替代實施例；
圖26-圖28示出依據本發明形成包含GaN或者SiC半導體器件或者其他III-V或者II-VI系半導體器件的HEM器件的方法的另一個替代實施例的示例的部分中的各個階段；以及
圖29-圖31示出依據本發明形成包含GaN或者SiC半導體器件或者其他III-V或者II-VI系半導體器件的HEM器件的方法的另一個替代實施例的示例的部分中的各個階段。
具體實施方式
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
